検索結果3件中 1-3 を表示

  • Oshiyama Itaru ID: 9000019432258

    Semiconductor Technology Development Division, Semiconductor Business Group, Sony Corporation, 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa 243-0014, Japan (2008年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Tinv Scaling and Gate Leakage Reduction for n-Type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor with HfSix/HfO2 Gate Stack by Interfacial Layer Formation Using Ozone–Water-Last Treatment (2008)
  • Oshiyama Itaru ID: 9000019471145

    Semiconductor Technology Development Division, Semiconductor Business Group, Sony Corporation, 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa 243-0014, Japan (2008年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Threshold Voltage Modulation Technique using Fluorine Treatment through Atomic Layer Deposition TiN Suitable for Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices (2008)
  • 押山 到 ID: 9000006652533

    ソニー(株) (2008年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 2件

    • ダマシンゲートプロセスを用いた Top-Cut デュアルストレスライナーを有する高性能 Metal/High-k Gate MOSFETs (2008)
    • ダマシンゲートプロセスを用いた top-cut デュアルストレスライナーを有する高性能 Metal/High-k Gate MOSFET (2008)
ページトップへ