検索結果12件中 1-12 を表示

  • Tai Kaori ID: 9000019389002

    CiNii収録論文: 1件

    • Mechanism of Carrier Mobility Degradation Induced by Crystallization of HfO2 Gate Dielectrics (2009)
  • Tai Kaori ID: 9000019402176

    Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Solutions Network Company, Sony Corporation, 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa 243-0014, Japan (2006年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Application of HfSiON to Deep-Trench Capacitors of Sub-45-nm-Node Embedded Dynamic Random-Access Memory (2006)
  • Tai Kaori ID: 9000019432264

    Semiconductor Technology Development Division, Semiconductor Business Group, Sony Corporation, 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa 243-0014, Japan (2008年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Tinv Scaling and Gate Leakage Reduction for n-Type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor with HfSix/HfO2 Gate Stack by Interfacial Layer Formation Using Ozone–Water-Last Treatment (2008)
  • Tai Kaori ID: 9000019453756

    CiNii収録論文: 1件

    • Transmission Electron Microscopic Studies of TiSi2 Microstructures and the C49-C54 Phase Transformation in Narrow Lines (1999)
  • Tai Kaori ID: 9000019471112

    Semiconductor Technology Development Division, Semiconductor Business Group, Sony Corporation, 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa 243-0014, Japan (2008年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Threshold Voltage Modulation Technique using Fluorine Treatment through Atomic Layer Deposition TiN Suitable for Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices (2008)
  • Tai Kaori ID: 9000019503202

    CiNii収録論文: 1件

    • Photoreflectance Study of Interface Roughness in Ge/SiGe Strained-Layer Heterostructures (1994)
  • Tai Kaori ID: 9000019555134

    Semiconductor Technology Development Division, Consumer Products and Device Group, Sony Corporation, 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi, Kanagawa 243-0014, Japan (2010年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Low Threshold Voltage and High Mobility N-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor Using Hf–Si/HfO2 Gate Stack Fabricated by Gate-Last Process (2010)
  • Tai Kaori ID: 9000258121654

    Department of Applied Physics, The University of Tokyo, 7–3–1 Hongo, Bunkyo–ku, Tokyo 113 (1994年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • Photoreflectance Study of Interface Roughness in Ge/SiGe Strained-Layer Heterostructures. (1994)
  • 田井 香 ID: 9000001484847

    ソニー(株) (2001年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • 無電解CoWPキャップを適用したCu配線のプロセスインテグレーション及びその配線特性 (2001)
  • 田井 香織 ID: 9000014644932

    ソニーセミコンダクタ九州 (2009年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • 1/2.3インチ1.55μm pixel 12M画素インターライントランスファー型CCDの開発 (2009)
  • 田井 香織 ID: 9000307260447

    神鋼病院 診療技術部 生理検査室 (2015年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • コントロール筋を用いたエコー輝度測定の検討 (2015)
  • 田井 香織 ID: 9000367037067

    ソニーセミコンダクタ九州 (2009年 CiNii収録論文より)

    CiNii収録論文: 1件

    • 1/2.3インチ1.55μm pixel 12M画素インターライントランスファー型CCDの開発(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール) (2009)
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