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Nishitani M. , Nishitani H. , Sakai M. , Goto M. , Yamamoto M. , Mizonoguchi K. , Nakashima S.

エキシマーレーザーァニールによつて作製したpoly-Si薄膜にっいて、Raman散乱スペクトル、X線回折、RHEEDによって結晶性や配向性について評価し、AFM、SEM、TEMによって表面モフォロジー及ぴ微構造を解析した。その結果、1)得られたpoly-Si薄膜は、基板側に比ベ膜表面の方が結晶性が優れているすること、2)ある限られたエキシマーレーザー照射エネルギー密度で強く(111)配向するpol …

IEICE technical report. Electron devices 99(22), 15-21, 1999-04-23

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