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1

Fabrication of Photoluminescent Silicone by Laser-Induced Photochemical Reaction [in Japanese]

OKOSHI Masayuki , INOUE Narumi

Materials science and technology 47(5), 227-230, 2010-10-20

References (6)
2

Characterization of Nonradiative Recombination Centers in InGaN Quantum Wells by Two-Wavelength Excited Photoluminescence [in Japanese]

YAMAGUCHI Tomohiko , IGARASHI Kouhei , FUKUDA Takeshi , HONDA Zentaro , KAMATA Norihiko

… 非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長励起フォトルミネセンス法を用いて,障壁層と井戸層の両方にSiをドープしたMOCVD成長In_<0.16>Ga_<0.84>N/In_<0.02>Ga_<0.98>N量子井戸試料を評価した.PLスペクトルおよび積分PL強度の温度依存性では,Siドープ濃度の増加によってスペクトル半値幅が減少し,高温域での規格化PL強度が増大したことを確認した.更に,バンドギャップ …

ITE Technical Report 34(2), 33-36, 2010-01-28

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3

28aTK-8 Photoluminescence of stripe and bubble phases in high Landau levels [in Japanese]

Muraki Koji , Yamaguchi Masumi

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan 64(1-4), 697, 2009-03-03

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4

Electroluminescent Device Utilizing Chemically Synthesized ZnS:Cu Nanocrystals [in Japanese]

YAMAGUCHI Daisaku , HAMA Takeshi , ADACHI Daisuke , TOYAMA Toshihiko , OKAMOTO Hiroaki

… を評価した.素子構造は,ガラス基板/ITO(indium-tin oxide)/発光層/Alとした.発光層はスクリーン印刷法により形成した.X線回折法による測定から算出したZnS: Cuナノ結晶の粒径は4.4nmであった.ZnS: Cuナノ結晶のフォトルミネセンス(PL)測定では,ZnSの欠陥準位とCu^+とのドナーアクセプタ対における再結合に起因する波長496nmの発光を観測した.ZnS: Cuナノ結晶EL素子は整流性を示した.また,ITO電極に正の電圧を印加すると,白色のEL発光 …

IEICE technical report. Electronic information displays 107(453), 21-24, 2008-01-17

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5

Observation of blue-light emission from tantalum oxide films fabricated by using rf sputtering [in Japanese]

MIURA Kenta , MIYAZAKI Hiroki , HANAIZUMI Osamu

… スパッタリング法によりタンタル酸化物薄膜を成膜し,アニール処理後に青色のフォトルミネセンスが得られることを見出した.今回の実験では,600℃で20分間のアニールをした試料から,最も強い発光(ピーク波長430nm付近)が得られた.タンタル酸化物は,自己クローニング型フォトニック結晶などのパッシブ素子用材料として主に用いられているが,今回,青色発光が観測されたことで,アクティブ素子用材料としての応用の可能 …

Technical report of IEICE. OPE 107(389), 1-4, 2007-12-07

CiNii Fulltext PDF - Subscription References (7) Cited by (4)
6

Photoluminescence in Polymer Nanocomposites Induced by Ultraviolet Photons : Effects of Addition of Nanofillers to Polyamide-6 and Polyethylene [in Japanese]

FUSE Norikazu , OKADA Masahide , TANAKA Toshikatsu , MURATA Yoshinao , SEKIGUCHI Yoitsu , OHKI Yoshimichi

電気学会研究会資料. DEI, 誘電・絶縁材料研究会 2007(55), 25-30, 2007-06-28

References (11)
7

Improvement in Luminescent Characteristics of Blue Emitting Ba_2SiS_4:Ce phosphor [in Japanese]

OHASHI Tsuyoshi , OHMI Koutoku , KOBAYASHI Hiroshi

… 2回焼成によりBa_2SiS_4母体の結晶性が向上し、フォトルミネセンス(PL)発光が改善された。 …

IEICE technical report. Electronic information displays 106(499), 25-28, 2007-01-18

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8

Investigation on Polarization Characteristics of GaInAsSb Covered InAs Quantum Dot for Application to Surface Emitting Devices [in Japanese]

MATSUURA Tetsuya , MIYAMOTO Tomoyuki , KOYAMA Fumio

… .一方でこのような量子ドットを面型光デバイスに応用するためには,面内方向の偏光特性を明らかにする必要があるが,これまでSb添加量子ドットの偏光特性は報告されていない.本論文では,Sb添加によるドット形状の変形が発光特性に及ぼす影響に着目し,カバー層へのSb添加及びIn添加によるフォトルミネセンスの偏光特性の測定と,その偏光度のドット構造依存性について評価を行い,面型デバイス応用への指針を与える. …

The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C J90-C(1), 69-75, 2007-01-01

CiNii Fulltext PDF - Subscription References (11) Cited by (1)
9

25aYK-10 Polymerization and photoluminescence of C_<60> fullerene by shock compression [in Japanese]

Niwase K. , Homae T. , Nakamura K.G. , Kondo K.

Meeting abstracts of the Physical Society of Japan 61(2-4), 800, 2006-08-18

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10

PL characterization of In surface segregation in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures using MOCVD reactor (2"×6 wafers) [in Japanese]

IKENAGA Kazutada , UBUKATA Akinori , YAMAGUCHI Akira , AKUTSU Nakao , FUJII Kinji , MATSUMOTO Kou

… 本研究では、井戸層におけるIn表面偏析の比較的大きい(InGaN/GaN)量子井戸構造を用いて、励起強度の異なるフォトルミネセンス(PL)測定によりプロセス条件に対するブルーシフト量の変化を調査した。 …

IEICE technical report. Component parts and materials 105(328), 81-84, 2005-10-07

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11

PL characterization of In surface segregation in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures using MOCVD reactor (2"×6 wafers) [in Japanese]

IKENAGA Kazutada , UBUKATA Akinori , YAMAGUCHI Akira , AKUTSU Nakao , FUJII Kinji , MATSUMOTO Kou

… 本研究では、井戸層におけるIn表面偏析の比較的大きい(InGaN/GaN)量子井戸構造を用いて、励起強度の異なるフォトルミネセンス(PL)測定によりプロセス条件に対するブルーシフト量の変化を調査した。 …

IEICE technical report. Electron devices 105(326), 81-84, 2005-10-07

CiNii Fulltext PDF - Subscription References (7)
12

PL characterization of In surface segregation in InGaN/GaN Multiple Quantum Well Structures using MOCVD reactor (2"×6 wafers) [in Japanese]

IKENAGA Kazutada , UBUKATA Akinori , YAMAGUCHI Akira , AKUTSU Nakao , FUJII Kinji , MATSUMOTO Kou

… 本研究では、井戸層におけるIn表面偏析の比較的大きい(InGaN/GaN)量子井戸構造を用いて、励起強度の異なるフォトルミネセンス(PL)測定によりプロセス条件に対するブルーシフト量の変化を調査した。 …

Technical report of IEICE. LQE 105(330), 81-84, 2005-10-07

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13

Growth and Characterization of AlInN Ternary Alloys and InN/AlInN MQWs [in Japanese]

Terashima Wataru , Che Song Bek , Ishitani Yoshihiro , Yoshikwa Akihiko

… x線回折測定により3次までのサテライトピークを、低温フォトルミネセンス測定において0.68から0.99eVまでのInN井戸層からの発光ピークを観察した。 …

IEICE technical report. Component parts and materials 105(327), 29-34, 2005-10-06

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14

Growth and Characterization of AlInN Ternary Alloys and InN/AlInN MQWs [in Japanese]

Terashima Wataru , Che Song Bek , Ishitani Yoshihiro , Yoshikwa Akihiko

… x線回折測定により3次までのサテライトピークを、低温フォトルミネセンス測定において0.68から0.99eVまでのInN井戸層からの発光ピークを観察した。 …

IEICE technical report. Electron devices 105(325), 29-34, 2005-10-06

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15

Growth and Characterization of AlInN Ternary Alloys and InN/AlInN MQWs [in Japanese]

Terashima Wataru , Che Song Bek , Ishitani Yoshihiro , Yoshikwa Akihiko

… x線回折測定により3次までのサテライトピークを、低温フォトルミネセンス測定において0.68から0.99eVまでのInN井戸層からの発光ピークを観察した。 …

Technical report of IEICE. LQE 105(329), 29-34, 2005-10-06

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16

Thin-Film Phosphor Development Utilizing Combinatorial Deposition by r.f. Magnetron Sputtering with Subdivided Powder Targets [in Japanese]

Mochizuki Yu , Ihara Kazuhiko , Miyata Toshihiro , Minami Tadatsugu

… 一例として、本成膜法をZn_2Si_<1-X>Ge_XO_4 : Mn蛍光体薄膜の作製に適用し、エレクトロルミネッセンス(EL)及びフォトルミネセンス(PL)に対する最高強度を得るための母体中のGeの含有量及び発光中心であるMn含有量をぞれぞれ1回の成膜プロセスで最適化できた。 …

IEICE technical report. Electronic information displays 104(621), 37-40, 2005-01-21

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17

Optical Characterization of Sn-Doped GaAs_<1-x>Sb_x Epilayers [in Japanese]

Nishino Fumio , Takei Tatsuya , Kato Ariyuki , Jinbo Yoshio , Uchitomi Naotaka

… 0.58)とSn.ドープGaAs_<1-x>Sb_x、(x=0.10〜0.14)層を成長しその光学特性を調べた.SnドープGaAsSb層は,Sn Knudsenセル(Kセル)温度をパラメータとして500〜900℃のものを成長し,低温フォトルミネセンス(PL)測定およびホール効果測定を行った.アンドープではp型を示すGaAsSbに対し,670℃のSnKセル温度で成長したSnドープGaAsSb層ではn型となり,最大のPL強度および最大の電子移動度(1900cm^2/Vs)を示した.SnドープGaAsSb層から得られたPL強度は,電 …

IEICE technical report. Component parts and materials 104(426), 19-22, 2004-11-05

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18

Visible Light Emission from Porous Si Investigated with In-situ Photoluminescence,Raman, and IR Spectroscopies [in Japanese]

WADAYAMA Toshimasa , ARIGANE Tuyoshi , HATTA Aritada

日本金屬學會誌 = Journal of the Japan Institute of Metals 68(10), 873-879, 2004-10-20

References (30)
19

Physical properties of transition metal and rare earth element doped GaN grown by MBE [in Japanese]

Zhou Y.K. , Kim M.S. , Kimura S. , Choi S.W. , Emura S. , Hasegawa S. , Asahi H.

… しかも,GaCrNから強力なフォトルミネセンス(PL)発光も観測され、光る高温強磁性半導体とも言える。 …

Technical report of IEICE. LQE 104(361), 57-60, 2004-10-14

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20

Physical properties of transition metal and rare earth element doped GaN grown by MBE [in Japanese]

Zhou Y.K. , Kim M.S. , Kimura S. , Choi S.W. , Emura S. , Hasegawa S. , Asahi H.

… しかも,GaCrNから強力なフォトルミネセンス(PL)発光も観測され、光る高温強磁性半導体とも言える。 …

IEICE technical report. Electron devices 104(357), 57-60, 2004-10-14

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