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    Growth Modes with Misfit Dislocations in Heteroepitaxy(<Special Topic>How Do We Model Crystal Growth Phenomena?)  [in Japanese]

    Katsuno Hiroyasu , Uwaha Makio , Saito Yukio

    … 転位を持つヘテロエピタキシャル成長の表面形態について2次元弾性格子模型を用いたこれまでの研究を紹介する.転位が作る結晶中の非一様な歪み場により,吸着原子は特定のサイトに集められる.その結果,平坦な表面上での次の層の核生成サイトが,転位直上もしくは転位間の中間位置の2つの場合に分かれる.また,いくつかの吸着量でエネルギー最低となる平衡形状を決めることで,吸着物結晶の成長様式を推測した.表面 …

    Journal of the Japanese Association of Crystal Growth 38(2), 121-127, 2011-07

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  • 2

    Development of Hetero-Epitaxial Diamond Substrate and its Device Applications  [in Japanese]

    SAWABE Atsuhito , KODAMA Hideyuki , WASHIYAMA Shun , HITAKA Masahiro , ABE Satoshi , ICHIHARA Yukio , KOTAKI Toshiro , KOYAMA Kouji , OYAMA Koki , ISHIGAKI Noritaka , WANG Hong-Xing , MUTOH Katsuhiko , KONO Shozo

    Journal of The Surface Finishing Society of Japan 62(3), 163-169, 2011-03-01

    J-STAGE CrossRef References (23)

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    Ion channeling at Heusler alloy Fe_<3-x>Mn_xSi(111)/Ge(111) heteroepitaxial interfaces  [in Japanese]

    NAKAJIMA Takahito , MATSUKURA Bui , NARUMI Kazumasa , MAEDA Yoshihito

    イオンチャネリングを用いて,エピタキシャル成長したFe_<3-x>Mn_xSi(111)/Ge(111)界面の軸配向性を評価した.軸配向性は,界面での格子不整合によって支配されることが明らかになった.そこで本研究では,軸上での原子配置の乱れに直接関係する静的変位を求め,さらに低温でのイオンチャネリングを行い静的変位の支配因子を検討した.その結果,格子不整合の減少に対応して界面での静的変 …

    Technical report of IEICE. SDM 110(351), 13-17, 2010-12-10

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  • 4

    Hetero-epitaxial growth of GaN on Si (111) substrate by ECR-MBE method  [in Japanese]

    Yodo Tokuo , Yamada Suguru , Harada Yoshiyuki

    Memoirs of the Osaka Institute of Technology. Series A, Science & technology 55(1), 29-41, 2010-10-31

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    Effect of As preadsorption on InAs nanowire heteroepitaxy on Si(111) : A first-principles study

    Koga Hiroaki

    Arsenic preadsorption has recently been found to be crucial for selective-area epitaxial growth of oriented III-V semiconductor nanowires on Si(111). To understand the effect of preadsorption on the h …

    Physical review. B, Condensed matter and materials physics 80(24), 245302, 2009-12

    IR CrossRef

  • 6

    Growth and characterization of nonpolar and semipolar (Al, In, Ga) N films on ZnO substrates  [in Japanese]

    KOBAYASHI Atsushi , UENO Kohei , SHIMOMOTO Kazuma , OHTA Jitsuo , FUJIOKA Hiroshi , OSHIMA Masaharu , AMANAI Hidetaka , NAGAO Satoru , HORIE Hideyoshi

    … これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ,十分な結晶品質が得られなかった非極性面III族窒化物半導体であるが,格子整合基板であるZnOを用いることでその結晶性を大幅に向上させることに成功した.ZnOが化学的,熱的に不安定性であることから,成長中にIII族窒化物とZnOが反応してしまうという問題が指摘されていたが,我々が開発した室温エピタキシャル成長技術を用いることで …

    Technical report of IEICE. LQE 108(323), 17-20, 2008-11-20

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  • 7

    Growth and characterization of nonpolar and semipolar (Al,In,Ga) N films on ZnO substrates  [in Japanese]

    KOBAYASHI Atsushi , UENO Kohei , SHIMOMOTO Kazuma , OHTA Jitsuo , FUJIOKA Hiroshi , OSHIMA Masaharu , AMANAI Hidetaka , NAGAO Satoru , HORIE Hideyoshi

    … これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ,十分な結晶品質が得られなかった非極性面III族窒化物半導体であるが,格子整合基板であるZnOを用いることでその結晶性を大幅に向上させることに成功した.ZnOが化学的,熱的に不安定性であることから,成長中にIII族窒化物とZnOが反応してしまうという問題が指摘されていたが,我々が開発した室温エピタキシャル成長技術を用いることで …

    IEICE technical report. Electron devices 108(321), 17-20, 2008-11-20

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  • 8

    Growth and characterization of nonpolar and semipolar (Al,In,Ga) N films on ZnO substrates  [in Japanese]

    KOBAYASHI Atsushi , UENO Kohei , SHIMOMOTO Kazuma , OHTA Jitsuo , FUJIOKA Hiroshi , OSHIMA Masaharu , AMANAI Hidetaka , NAGAO Satoru , HORIE Hideyoshi

    … これまで格子整合性が低い異種基板上へのヘテロエピタキシャル成長を余儀なくされ,十分な結晶品質が得られなかった非極性面III族窒化物半導体であるが,格子整合基板であるZnOを用いることでその結晶性を大幅に向上させることに成功した.ZnOが化学的,熱的に不安定性であることから,成長中にIII族窒化物とZnOが反応してしまうという問題が指摘されていたが,我々が開発した室温エピタキシャル成長技術を用いることで …

    IEICE technical report. Component parts and materials 108(322), 17-20, 2008-11-20

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  • 9

    207 Modeling of heteroepitaxial thin film growth by kinetic Monte Carlo  [in Japanese]

    YAMAMOTO Masahiro , MATSUNAKA Daisuke , SHIBUTANI Yoji

    Innovative thin film technology has enabled the development of finer electronic devices, but a greater understanding of the atomic level process of film growth and its relationship with film character …

    The Computational Mechanics Conference 2008(21), 143-144, 2008-11-01

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  • 10

    20pXA-10 Growth modes in a heteroepitaxial system (II)  [in Japanese]

    Katsuno H. , Uwaha M. , Saito Y.

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan 63(2-4), 802, 2008-08-25

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  • 11

    Effects of In and Sb mono-layers to form rotated InSb films on a Si(111)substrate  [in Japanese]

    SAITO Mitsufumi , MORI Masayuki , UEDA Koji , MAEZAWA Koichi

    … 我々はSi(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜をヘテロエピタキシャル成長させる新しい手法を提案している。 …

    IEICE technical report. Electron devices 108(87), 85-89, 2008-06-06

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  • 12

    Heteroepitaxial growth of InSb films via Si(111)-√7×√3-In) surface reconstruction  [in Japanese]

    MORI Masayuki , SAITO Mitsufumi , NAGASHIMA Kyohei , UEDA Koji , YOSHIDA Tatsuo , MAEZAWA Koichi

    Si(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜を成長させると、SI基板に対して30゜回転し、結晶性や電気的特性を改善できる.これまでは2×2-Inや√3×√3-In表面再構成を用いてきたが、Sb原子吸着時のIn原子脱離現象等により基板表面全体を均一なInSb単分子層で覆うことができないため、成長膜中に回転せずに低品質の結晶が含まれていた.今回は初期層としてIn被覆量が多いSi(111) …

    IEICE technical report. Electron devices 108(87), 81-84, 2008-06-06

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  • 13

    Organic molecular heteroepitaxy  [in Japanese]

    ISODA Seiji , HOSHINO Akitaka , KURATA Hiroki

    應用物理 77(5), 521-524, 2008-05-10

    References (38)

  • 14

    Advances and prospects of semiconductor heteroepitaxy  [in Japanese]

    ASAHI Hajime

    應用物理 77(5), 489-499, 2008-05-10

    References (122)

  • 15

    Heteroepitaxy, state of the arts in crystal engineering  [in Japanese]

    鍋谷 暢一 , 小田川 裕之 , 篠島 弘幸 , 森 雅彦

    應用物理 77(5), 488, 2008-05-10

  • 16

    Lateral growth of GaAs (001) microchannel epitaxy grown by temperature difference method  [in Japanese]

    Tejima Yasumasa , Suzuki Kenshiro , Naritsuka Shigeya , Maruyama Takahiro

    … マイクロチャネルエピタキシー(MCE)は、格子不整合の大きなヘテロエピタキシーにおける転位低減化に適しており、例えばSi基板上のGaAs無転位領域の成長に成功している。 …

    Technical report of IEICE. SDM 108(36), 71-74, 2008-05-08

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (4)

  • 17

    Lateral growth of GaAs (001) microchannel epitaxy grown by temperature difference method  [in Japanese]

    Tejima Yasumasa , Suzuki Kenshiro , Naritsuka Shigeya , Maruyama Takahiro

    … マイクロチャネルエピタキシー(MCE)は、格子不整合の大きなヘテロエピタキシーにおける転位低減化に適しており、例えばSi基板上のGaAs無転位領域の成長に成功している。 …

    IEICE technical report. Electron devices 108(34), 71-74, 2008-05-08

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (4)

  • 18

    Lateral growth of GaAs (001) microchannel epitaxy grown by temperature difference method  [in Japanese]

    Tejima Yasumasa , Suzuki Kenshiro , Naritsuka Shigeya , Maruyama Takahiro

    … マイクロチャネルエピタキシー(MCE)は、格子不整合の大きなヘテロエピタキシーにおける転位低減化に適しており、例えばSi基板上のGaAs無転位領域の成長に成功している。 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 108(35), 71-74, 2008-05-08

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (4)

  • 19

    Application of excited nitrogen molecules in RF-MBE growth of group 3 nitrides  [in Japanese]

    大鉢 忠 , 和田 元

    The Science and engineering review of Doshisha University 48(4), 113-118, 2008-01

  • 20

    Axial orientation of epitaxially grown Fe_3Si on Ge(111)  [in Japanese]

    HIRAIWA Yusuke , ANDO Yu-ichiro , KUMANO Mamoru , UEDA Koji , SADOH Taizoh , MIYAO Masanobu , NARUMI Kazumasa , MAEDA Yoshihito

    ラザフォード後方散乱分光法(RBS)を用いて,エピタキシャル成長したFe_3Si/Ge(111)の軸配向性を評価した.軸配向性は堆積温度に強く依存し,200℃以上で劣化することが分かった.そこで,本研究では堆積温度200℃における軸配向性の劣化を明らかにするために,RBS,電子線回折(ED)およびイオンチャネリング・ディップ測定を用いて軸配向性を検討した.その結果,堆積温度200℃における軸配向性 …

    Technical report of IEICE. SDM 107(388), 35-38, 2007-12-07

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (6)