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反応性スパッタ法によるCuInS_2薄膜の作製と評価(薄膜プロセス・材料,一般)
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山口 拓也
,
坪井 望
,
大石 耕一郎
,
小林 敏志
,
金子 双男
… Cu及びInターゲット前での基板停止時間を原子層オーダー程度で制御し,反応性ガスCS_2雰囲気中で各金属ターゲットを交互スパッタすることにより,[Cu]/[In]比の異なる薄膜を作製した.薄膜の組成は,高CS_2ガス分圧では(Cu_2S,Cu_<1.96>S)-(CuInS_2)-(CuIn_5S_8)-(In_2S_3)擬固溶体系に,低CS_2ガス分圧では(Cu_2S,Cu_<1.96>S)-(CuInS_2)-(InS,In_ …
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 108(269), 1-5, 20081023
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