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菊池 彦光 , 藤井 裕 , 光藤 誠太郎 , 東 正樹 , 島川 祐一 , 谷口 年史 , 松尾 品 , 金道 浩一

日本物理学会講演概要集 64(2-3), 355, 20090818

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加藤 力弥 , 山形 咲枝 , 岡本 正英 , 池田 靖

… The composite-type paste was prepared by mixing solder powder, Cu powder, and flux. …

エレクトロニクス実装学会誌 12(4), 340-345, 20090701

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TABATA Yoshinori , KURODA Noritaka

… Our calculation well reproduces the temperature-dependent decay profiles of the photoinduced neutral solitons that have been observed recently in the MX-chain compound {[Pt(en)_2][Pt(en)_2Cl_2]}_3(CuCl_4)_4・12H_2O. … The periodicity of the valence of Cu ions is discussed on the basis of this result. …

Journal of the Physical Society of Japan 78(3), "034704-1"-"034704-7", 20090315

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島田 邦雄 , 鄭 耀陽 , 橋本 直幸

日本AEM学会誌 17(1), 126-131, 20090310

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TOKUHARA Yoshimi , TEZUKA Keitaro , SHAN Yue Jin , IMOTO Hideo

… AgCuS was obtained as a single phase when the starting ratio of Ag:Cu:S was 0.9:1.1:1 in water above 120℃ for 10h except for synthesis condition at 120℃ for 60h and inductively coupled plasma (ICP) analysis revealed that experimental silver and copper contents in products were Ag_<0.89>Cu_<1.10>S. …

Journal of the Ceramic Society of Japan 117(1363), 359-362, 20090301

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山口 拓也 , 坪井 望 , 大石 耕一郎 , 小林 敏志 , 金子 双男

… Cu及びInターゲット前での基板停止時間を原子層オーダー程度で制御し,反応性ガスCS_2雰囲気中で各金属ターゲットを交互スパッタすることにより,[Cu]/[In]比の異なる薄膜を作製した.薄膜の組成は,高CS_2ガス分圧では(Cu_2S,Cu_<1.96>S)-(CuInS_2)-(CuIn_5S_8)-(In_2S_3)擬固溶体系に,低CS_2ガス分圧では(Cu_2S,Cu_<1.96>S)-(CuInS_2)-(InS,In_ …

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 108(269), 1-5, 20081023

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大竹 充 , 額賀 友理 , 桐野 文良 , 二本 正昭

… Cu(111)単結晶下地層上においてエピタキシャルSmCo_5(0001)薄膜が得られた,一方,Ru(0001)およびCo(0001)単結晶下地層上ではアモルファスSm-Co相が形成された.Cu下地層上に直接形成されたエピタキシャルSmCo_5薄膜は膜面垂直方向に互いに30度回転した方位関係を持つ双結晶から構成された.Cu下地層上にシード層を設けることにより,SmCo_5結晶の核生成が制御され,SmCo_5(0001)単結晶薄膜が形成さ …

電子情報通信学会技術研究報告. MR, 磁気記録 108(234), 7-12, 20081002

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