Search Results:　 1-20 of 46

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    High spatial resolution PL mapping of {11-22} InGaN quantum wells by a scanning near field optical microscope  [in Japanese]

    KANETA Akio , UEDA Masaya , FUNATO Mitsuru , KAWAKAMI Yoichi

    … ELO-GaNテンプレート上のc面InGaN量子井戸(QW)および{11-22}バルクGaN基板上のInGaN QWの近接場発光マッピング測定を30Kにて行った. …

    Technical report of IEICE. LQE 109(290), 33-36, 2009-11-12

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  • 2

    High spatial resolution PL mapping of {11-22} InGaN quantum wells by a scanning near field optical microscope  [in Japanese]

    KANETA Akio , UEDA Masaya , FUNATO Mitsuru , KAWAKAMI Yoichi

    … ELO-GaNテンプレート上のc面InGaN量子井戸(QW)および{11-22}バルクGaN基板上のInGaN QWの近接場発光マッピング測定を30Kにて行った.c面InGaN QWでは,〜100nm程度の島状の発光強度の強い領域が多数分布していた.さらにこのような発光強度の強い領域は長波長領域に対応していた.これは,エネルギー準位の不均一により生じた局所的なポテンシャル極小領域にキャリアが局在し発光しているため …

    IEICE technical report. Electron devices 109(288), 33-36, 2009-11-12

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  • 3

    High spatial resolution PL mapping of {11-22} InGaN quantum wells by a scanning near field optical microscope  [in Japanese]

    KANETA Akio , UEDA Masaya , FUNATO Mitsuru , KAWAKAMI Yoichi

    … ELO-GaNテンプレート上のc面InGaN量子井戸(QW)および{11-22}バルクGaN基板上のInGaN QWの近接場発光マッピング測定を30Kにて行った.c面InGaN QWでは,〜100nm程度の島状の発光強度の強い領域が多数分布していた.さらにこのような発光強度の強い領域は長波長領域に対応していた.これは,エネルギー準位の不均一により生じた局所的なポテンシャル極小領域にキャリアが局在し発光しているため …

    IEICE technical report. Component parts and materials 109(289), 33-36, 2009-11-12

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  • 4

    Correlation between threading dislocations and recombination dynamics in InGaN quantum wells  [in Japanese]

    KANETA Akio , FUNATO Mitsuru , NARUKAWA Yukio , MUKAI Takashi , KAWAKAMI Yoichi

    … InGaN量子井戸構造における、貫通転位と発光機構との関係を明らかにするために、本研究では、ELO-GaN上InGaN単一量子井戸構造において、原子間力顕微鏡による表面観察と近接場光学顕微鏡による発光マッピング測定を同一領域にて行った。 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 105(328), 73-76, 2005-10-07

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  • 5

    Correlation between threading dislocations and recombination dynamics in InGaN quantum wells  [in Japanese]

    KANETA Akio , FUNATO Mitsuru , NARUKAWA Yukio , MUKAI Takashi , KAWAKAMI Yoichi

    … InGaN量子井戸構造における、貫通転位と発光機構との関係を明らかにするために、本研究では、ELO-GaN上InGaN単一量子井戸構造において、原子間力顕微鏡による表面観察と近接場光学顕微鏡による発光マッピング測定を同一領域にて行った。 …

    IEICE technical report. Electron devices 105(326), 73-76, 2005-10-07

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  • 6

    Correlation between threading dislocations and recombination dynamics in InGaN quantum wells  [in Japanese]

    KANETA Akio , FUNATO Mitsuru , NARUKAWA Yukio , MUKAI Takashi , KAWAKAMI Yoichi

    … InGaN量子井戸構造における、貫通転位と発光機構との関係を明らかにするために、本研究では、ELO-GaN上InGaN単一量子井戸構造において、原子間力顕微鏡による表面観察と近接場光学顕微鏡による発光マッピング測定を同一領域にて行った。 …

    Technical report of IEICE. LQE 105(330), 73-76, 2005-10-07

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  • 7

    Super High Power Blue-violet Semiconductor Laser Array  [in Japanese]

    GOTO Shu , IKEDA Masao

    … In 2001, the LD arrays were successfully fabricated using epitaxially laterally overgrown GaN substrates. … In 2003, we reported a new SHP blue-violet LD composed of a single broad-area stripe emitter on a GaN substrate. …

    IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 125(2), 173-176, 2005-02-01

    J-STAGE CrossRef References (4)

  • 8

    Structural Defects in Degraded GaN-based Semiconductor Laser Diodes  [in Japanese]

    Tomiya Shigetaka , Goto Shu , Takeya Motonobu , Ikeda Masao

    … 選択横方向成長GaNエピタキシャル膜(ELO GaN)上に形成し、劣化させたGaN系半導体レーザダイオード(LD)における転位を、透過電子顕微鏡法によって評価した。 … ELO構造におけるWing領域中の転位密度は、10^6/cm^2台であり、レーザストライプ中に転位は、約10個程度、存在する。 …

    Technical report of IEICE. LQE 103(345), 73-76, 2003-09-25

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (10)

  • 9

    Structural Defects in Degraded GaN-based Semiconductor Laser Diodes  [in Japanese]

    Tomiya Shigetaka , Goto Shu , Takeya Motonobu , Ikeda Masao

    … 選択横方向成長GaNエピタキシャル膜(ELO GaN)上に形成し、劣化させたGaN系半導体レーザダイオード(LD)における転位を、透過電子顕微鏡法によって評価した。 … ELO構造におけるWing領域中の転位密度は、10^6/cm^2台であり、レーザストライプ中に転位は、約10個程度、存在する。 …

    IEICE technical report. Electron devices 103(341), 73-76, 2003-09-25

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (10)

  • 10

    Structural Defects in Degraded GaN-based Semiconductor Laser Diodes  [in Japanese]

    Tomiya Shigetaka , Goto Shu , Takeya Motonobu , Ikeda Masao

    … 選択横方向成長GaNエピタキシャル膜(ELO GaN)上に形成し、劣化させたGaN系半導体レーザダイオード(LD)における転位を、透過電子顕微鏡法によって評価した。 … ELO構造におけるWing領域中の転位密度は、10^6/cm^2台であり、レーザストライプ中に転位は、約10個程度、存在する。 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 103(343), 73-76, 2003-09-25

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  • 11

    Characterization of Electrical Properties of Micro-Schottky Contacts on Epitaxial Lateral Overgrowth GaN

    Kumada Keiichiro , Murata Tomohiro , Ohno Yutaka , Kishimoto Shigeru , Maezawa Koichi , Mizutani Takashi , Sawaki Nobuhiko

    … Current-voltage characteristics of micro-Schottky contacts fabricated on Epitaxial lateral overgrowth (ELO) GaN have been measured. …

    Jpn J Appl Phys 42(4B), 2250-2253, 2003-04-15

    The Japan Society of Applied Physics References (10) Cited by (4)

  • 12

    Development of Photoluminescence Microscope with Sub-Micron Resolution at Low Temperature and Its Application to Detection of Defects in Wide-Gap Semiconductors(Special Issue on Semiconductor Electronics)  [in Japanese]

    YOSHIMOTO Masahiro

    … The microscope clearly visualized defective region, and polytype domain with a spatial resolution of 0.3μm in GaN. … PL emissions ascribed to free excitons (EXA) and excitons bound to donors (D^0X) were discriminated in μ-PL measurements at 15K on epitaxially laterally overgrown (ELO) GaN. …

    Journal of the Society of Materials Science, Japan 51(9), 989-994, 2002-09-15

    CiNii Fulltext PDF - Open Access  J-STAGE CrossRef References (22)

  • 13

    Characterization of electrical properties of micro-Schottky contacts on ELO GaN  [in Japanese]

    KUMADA Keiichiro , MURARA Tomohiro , OHNO Yutaka , KISHIMOTO Shigeru , MAEZAWA Koichi , MIZUTANI Takashi , SAWAKI Nobuhiko

    … GaN ELO結晶上に形成した微小ショットキー接合のI-V特性を測定した。 … このことから,GaNで見られた不良特性は測定系や製作プロセスに由来するものではなく,何らかの結晶欠陥に起因するものであることがわかった。 … CL評価を用いて、この不良特性とGaNの転位との対応を調べた。 …

    IEICE technical report. Electron devices 102(294), 39-43, 2002-08-23

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  • 14

    Structural Defects in GaN-based Semiconductor Laser Diodes  [in Japanese]

    Tomiya Shigetaka , Hino Tomonori , Miyajima Takao , Takeya Motonobu , Ikeda Masao

    … 選択横方向成長GaNエピタキシャル膜(ELO-GaN)上に形成したGaN系半導体レーザダイオード(LD)における転位を、透過電子顕微鏡法およびカソードルミネッセンス顕微鏡法によって評価した。 …

    Technical report of IEICE. LQE 102(119), 71-74, 2002-06-08

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (8)

  • 15

    Structural Defects in GaN-based Semiconductor Laser Diodes  [in Japanese]

    Tomiya Shigetaka , Hino Tomonori , Miyajima Takao , Takeya Motonobu , Ikeda Masao

    … 選択横方向成長GaNエピタキシャル膜(ELO-GaN)上に形成したGaN系半導体レーザダイオード(LD)における転位を、透過電子顕微鏡法およびカソードルミネッセンス顕微鏡法によって評価した。 …

    IEICE technical report. Electron devices 102(116), 71-74, 2002-06-08

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  • 16

    Threading Dislocations in GaN and GaInN  [in Japanese]

    MIYAJIMA Takao , HINO Tomonori , TOMIYA Shigetaka , YANASHIMA Katsunori , ASATSUMA Tsunenori , KOBYASHI Toshimasa , IKEDA Masao

    … GaN系半導体中に存在する貫通転位を3種類の線欠陥-刃状,混合,らせん転位-に分類し,光学的特性及び結晶成長に与える影響を考察.全欠陥の10%程度しか占有しない混合及びらせん転位がGaN中の強い非発光中心として働いていることを報告したが,刃状転位も非発光中心として働くことをCathodoluminescence測定により実証.レーザデバイスの特性改善に対しては,Epitaxial Lateral Overgrowth(ELO)法を …

    Technical report of IEICE. LQE 102(118), 21-24, 2002-06-07

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  • 17

    Threading Dislocations in GaN and GaInN  [in Japanese]

    MIYAJIMA Takao , HINO Tomonori , TOMIYA Shigetaka , YANASHIMA Katsunori , ASATSUMA Tsunenori , KOBYASHI Toshimasa , IKEDA Masao

    … GaN系半導体中に存在する貫通転位を3種類の線欠陥-刃状,混合,らせん転位-に分類し,光学的特性及び結晶成長に与える影響を考察.全欠陥の10%程度しか占有しない混合及びらせん転位がGaN中の強い非発光中心として働いていることを報告したが,刃状転位も非発光中心として働くことをCathodoluminescence測定により実証.レーザデバイスの特性改善に対しては,Epitaxial Lateral Overgrowth(ELO)法を …

    IEICE technical report. Electron devices 102(115), 21-24, 2002-06-07

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (35)

  • 18

    Epitaxial Growth of III-Nitrides with Low Dislocations  [in Japanese]

    Miyake H. , Takeuchi R. , Hiramatsu K. , Naoi H. , Iyechika Y. , Maeda T. , Riemann T. , Bertram F. , Christen J.

    … 選択横方向成長(ELO)は貫通転位(TD)密度が低い高品質のGaNエピタキシャル膜を作製する技術として非常に有用である。 … 我々は,選択成長で形成されるファセット形態を制御することにより,転位の伝搬を制御する技術,ファセット制御ELO(facet controlled ELO:FACELO)を提案し,厚さ10μmのGaN膜でTD密度が10^6cm^-2を達成している。 …

    Technical report of IEICE. LQE 102(117), 37-40, 2002-06-06

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  • 19

    Epitaxial Growth of III-Nitrides with Low Dislocations  [in Japanese]

    Miyake H. , Takeuchi R. , Hiramatsu K. , Naoi H. , Iyechika Y. , Maeda T. , Riemann T. , Bertram F. , Christen J.

    … 選択横方向成長(ELO)は貫通転位(TD)密度が低い高品質のGaNエピタキシャル膜を作製する技術として非常に有用である。 … 我々は,選択成長で形成されるファセット形態を制御することにより,転位の伝搬を制御する技術,ファセット制御ELO(facet controlled ELO:FACELO)を提案し,厚さ10μmのGaN膜でTD密度が10^6cm^<-2>を達成している。 …

    IEICE technical report. Electron devices 102(114), 37-40, 2002-06-06

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  • 20

    ELO of GaN on a grooved Si substrate by MOVPE : Selected-area ELO of GaN on a Si substrate  [in Japanese]

    NAOI Hiroyuki , NARUKAWA Mitsuhisa , MIYAKE Hideto , HIRAMATSU Kazumasa

    … Si基板上に低転位密度でクラックのないGaN層を作製するために,新しい基板段差パターンを用いて有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE法)によるGaNの選択横方向成長(ELO)を行った.段差パターンは従来のELO用ストライプパターンにGaNの成長領域を制限するための比較的粗いグリッドパターンを組み合わせたものである.成長領域を100μm角に制 …

    Technical report of IEICE. SDM 102(80), 21-26, 2002-05-16

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