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Motogaito Atsushi , Udono Haruhiko , Katsuno Hironobu , Kimura Masakazu , Tanaka Akira , Sukegawa Tokuzo

… 組成変換法によりGaP基板上に任意組成のGaAsP混晶を成長させることに成功している。 …

IEICE technical report. Electron devices 95(38), 19-24, 1995-05-19

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Udono Haruhiko , Motogaito Atsushi , Katsuno Hironobu , Kimura Masakazu , Tanaka Akira , Sukegawa Tokuzo

… 成長したGaAsP混晶層は室温及び77Kにおいてバンド間遷移に対応した明瞭な発光ピークを示した。 … 更にこの混晶層上に成長させたGaAsP混晶は、より強い発光特性を示し、組成変換によって得たGaAsP層上に良好なGaAsP混晶を成長できることが判明した。 …

IEICE technical report. Electron devices 94(47), 63-68, 1994-05-20

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Udono Haruhiko , Katsuno Hironobu , Tanaka Akira , Sukegawa Tokuzo

… 所望の組成のGaAsP混晶層をGaP基板上に形成する新しい液相技術を開した。 … 熱処理に引き続いて徐冷することによって、変換されてできちGaAsP層上に良好なGaAsP混晶層を成長させることができた。 …

IEICE technical report. Electron devices 93(45), 19-24, 1993-05-20

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白藤 純嗣 , 垣内 孝夫 , 犬石 嘉雄

年会講演予稿集 37(2), 168, 1982-09-14

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