Search Results:　 1-20 of 319

1

High-Current Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors on H-Terminated Diamond Surfaces and Their High-Frequency Operation

Kawarada Hiroshi

… These values are comparable to those of modern FETs made of Si or III--V semiconductors. …

Jpn J Appl Phys 51(9), 090111-090111-6, 2012-09-25

The Japan Society of Applied Physics
2

GaInAsP/Si Hybrid Laser with AlInAs Oxidation Current Confinement Layer by Surface Activated Bonding [in Japanese]

OSABE Ryo , FUKUDA Keita , HAYASHI Yusuke , NISHIYAMA Nobuhiko , ARAI Shigehisa

… 次世代大規模光集積回路に向けたシリコンフォトニクス用の光源として、III-V族化合物半導体とシリコンとのハイブリッドデバイスの研究が盛んになされている。 …

Technical report of IEICE. LQE 111(359), 49-54, 2011-12-09

CiNii Fulltext PDF - Limited
3

Characteristics of Chemical Bonds in CuInSe2 and Its Thin-Film Deposition Processes Used to Fabricate Solar Cells

Wada Takahiro

… CuInSe2 (CIS) is one of the I--III--VI2 compound semiconductors with a chalcopyrite-type crystal structure. … The characteristics of chemical bonds in CIS differ from those of conventional III--V and II--VI compound semiconductors. …

Jpn J Appl Phys 50(5), 05FA02-05FA02-4, 2011-05-25

The Japan Society of Applied Physics
4

III-V quantum well channel MOSFET with back electrode [in Japanese]

KANAZAWA Toru , TERAO Ryosuke , YAMAGUCHI Yutaro , IKEDA Shunsuke , YONAI Yoshiharu , KATO Atsushi , MIYAMOTO Yasuyuki

… 2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体を用いた高移動度チャネルMOSFETが一つの候補として考えられる。 …

IEICE technical report. Microwaves 110(359), 69-73, 2011-01-06

CiNii Fulltext PDF - Subscription References (13)
5

III-V quantum well channel MOSFET with back electrode [in Japanese]

KANAZAWA Toru , TERAO Ryosuke , YAMAGUCHI Yutaro , IKEDA Shunsuke , YONAI Yoshiharu , KATO Atsushi , MIYAMOTO Yasuyuki

… 2020年以降の高速CMOS回路応用へ向けた高駆動能力トランジスタとして、高い電子移動度を有するIII-V族化合物半導体を用いた高移動度チャネルMOSFETが一つの候補として考えられる。 …

IEICE technical report. Electron devices 110(358), 69-73, 2011-01-06

CiNii Fulltext PDF - Subscription References (13)
6

Report on 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010) [in Japanese]

SHINODA Kazunori

本年5月31日〜6月4日に高松において開催されたインジウム燐および関連材料国際会議(IPRM2010)の注目論文や技術動向を報告する.本会議は,インジウム燐とその関連材料の結晶成長,プロセス,および光デバイスや電子デバイスへの応用技術に関する国際会議である.第22回にあたる本年は,「Compound Semiconductor Week 2010」として,第37回化合物半導体国際会議(ISCS20 …

Technical report of IEICE. LQE 110(103), 1, 2010-06-18

CiNii Fulltext PDF - Subscription
7

Report on 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010) [in Japanese]

SHINODA Kazunori

本年5月31日〜6月4日に高松において開催されたインジウム燐および関連材料国際会議(IPRM2010)の注目論文や技術動向を報告する.本会議は,インジウム燐とその関連材料の結晶成長,プロセス,および光デバイスや電子デバイスへの応用技術に関する国際会議である.第22回にあたる本年は,「Compound Semiconductor Week 2010」として,第37回化合物半導体国際会議(ISCS20 …

Technical report of IEICE. OPE 110(102), 1, 2010-06-18

CiNii Fulltext PDF - Subscription
8

Theoretical Analysis of Carrier Transport in Nano-Scale InGaAs-Channel MOSFETs [in Japanese]

HOMMA Takahiro , WATANABE Hisanao , HARA Shinsuke , FUJISHIRO Hiroki I.

… ポストSi MOSFETとして,Siよりも有効質量が小さく高い電子移動度を示すIII-V族化合物半導体をチャネル材料を用いたデバイスが検討されている.本稿では,量子補正モンテカルロ法を用いて,InGaAsをチャネル材料に用いたMOSFET(InGaAs-channel MOSFET)の電子輸送現象が駆動電流におよぼす影響を理論的に解析し,バリスティック限界の見積もりを行った. …

IEICE technical report. Electron devices 110(80), 47-52, 2010-06-10

CiNii Fulltext PDF - Subscription References (14)
9

Characteristics of Chemical Bonds in CuInSe_2, and its Thin Film Fabrication Processes used to Fabricate Solar Cells(<Special Issue>Crystals Science and Technology of Solar Cells Materials -Concentrated on Crystal Growth-) [in Japanese]

Wada Takahiro , Maeda Tsuyoshi

… CuInSe_2(CIS)を用いた薄膜太陽電池が注目を集めている.CISはカルコパイライト型の結晶構造を持つI-III-VI_2族化合物半導体である.最近,このCISの電子構造や化学結合に関する研究が進み,従来のIII-V族やII-VI族化合物半導体と異なる特徴が明らかになってきた.本総合報告では,まずCISの電子構造と化学結合の特徴について概説し,次にCISの化学結合の特徴が太陽電池に用いられる高品質薄 …

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth 36(4), 282-289, 2010-01-00

CiNii Fulltext PDF - Subscription References (31)
10

Structural Defects in GaN-based Laser Diodes(<Special Issue>Defects in Nitride Semiconductors) [in Japanese]

Tomiya Shigetaka , Ikeda Masao

… は,結晶欠陥の低減が必須である.このためには,結晶欠陥を十分理解することが重要である.ウルツ鉱型構造を有するGaN系半導体材料は,GaAs系半導体材料をはじめとする従来の閃亜鉛鉱型構造を有するIII-V族発光デバイス材料と結晶構造が異なる事などにより,従来と異なる様々な結晶欠陥がエピタキシャル層中に発生する.本稿では,エピタキシャル層/基板界面から発生する貫通転位,p型半導体層に発生 …

Journal of the Japanese Association of Crystal Growth 36(3), 222-228, 2009-10-00

CiNii Fulltext PDF - Subscription References (42)
11

Thermodynamic Analysis for Vapour Epitaxial Growth of III-V Solid Solution Semiconductors [in Japanese]

YAMAGUCHI Katsunori

… The group III-V compound semiconductors and their solid solutions are important materials used in high speed electronic and optical electronic devices. … Base on these data, the vapor epitaxial growth of the III-V solid solution crystal are analyzed thermodynamically. …

Journal of MMIJ 125(6), 375-380, 2009-07-25

J-STAGE CrossRef References (23)
12

Reduced Static Dielectric Constant Estimated from Exciton Binding Energy in Dilute Nitride Semiconductors

Kondow Masahiko , Uchiyama Masayuki , Morifuji Masato , Wu Shudong , Momose Hideki , Fukushima Shin-ichi , Fukuyama Atsuhiko , Ikari Tetsuo

… Dilute nitrides are novel III--V semiconductors that have been developed for photonic and electronic devices. … The results imply that nitrogen incorporation in III--V semiconductors decreases both the static dielectric constant and bandgap. … This behavior is opposite to that of conventional semiconductors. …

Applied Physics Express 2(4), 041003-041003-3, 2009-04-25

The Japan Society of Applied Physics References (25)
13

Studies on the degradation of III-V compound semiconductor optical devices over three decades : Focusing on gradual degradation [in Japanese]

UEDA Osamu

應用物理 78(4), 316-323, 2009-04-10

References (38)
14

Effect of Charge Redistribution on the Thermal-Expansion Behaviors in III-V Semiconductors(Condensed matter: structure and mechanical and thermal properties)

WANG Shaoqing

… In contrast to these gallium phases and the most of other III-V semiconductors, low-temperature negative thermal expansion is not found in the three borides. … The fact suggests a correlation between polarity reduction and negative thermal expansion in III-V semiconductors. …

Journal of the Physical Society of Japan 78(2), "024603-1"-"024603-7", 2009-02-15

CiNii Fulltext PDF - Paid The Physical Society of Japan References (42)
15

Formation of III-V Compound Semiconductor Nanowires by using Selective-area MOVPE [in Japanese]

TOMIOKA Katsuhiro , SATO Takuya , HARA Shinjiroh , MOTOHISA Junichi , FUKUI Takashi

Journal of the Surface Science Society of Japan 29(12), 726-730, 2008-12-10

References (14)
16

Narrow-gap III-V semiconductor technology : lattice-mismatched growth and epitaxial lift-off for heterogeneous integration(Session1: Compound Semiconductor Devices)

SUZUKI Toshi-kazu

… Narrow-gap III-V semiconductors, such as InAs, InGaAs/InAlAs with high indium compositions, InSb, and InGaSb/InAlSb, are promising material systems for high-speed and low-power-consumption electron device applications. … In this article, we discuss lattice-mismatched growth of the narrow-gap semiconductors on GaAs substrates, focusing on the behaviors and properties of crystalline defects. …

IEICE technical report. Electron devices 108(121), 3-8, 2008-07-02

CiNii Fulltext PDF - Subscription References (29)
17

Narrow-gap III-V semiconductor technology : lattice-mismatched growth and epitaxial lift-off for heterogeneous integration(Session1: Compound Semiconductor Devices)

SUZUKI Toshi-kazu

… Narrow-gap III-V semiconductors, such as InAs, InGaAs/InAlAs with high indium compositions, InSb, and InGaSb/InAlSb, are promising material systems for high-speed and low-power-consumption electron device applications. … In this article, we discuss lattice-mismatched growth of the narrow-gap semiconductors on GaAs substrates, focusing on the behaviors and properties of crystalline defects. …

Technical report of IEICE. SDM 108(122), 3-8, 2008-07-02

CiNii Fulltext PDF - Subscription References (29)
18

Gate Dielectrics Interface Control for III-V MISFET [in Japanese]

YASUDA Tetsuji , MIYATA Noriyuki , OHTAKE Akihiro

… 22nm世代以降のCMOSにおいて性能向上を実現するためのオプションとして,III-V族半導体のnチャネルへの導入が注目を集めている.本研究では,III-V/High-k界面のモデル系として,HfO_2/GaAs直接接合界面の結合をGa-O型とAs-O型とで作り分けた試料の電気特性について検討した.さらに,CMOSのpチャネルにGe系の材料が採用された場合にゲートスタックの一括プロセスが可能にな …

Technical report of IEICE. SDM 108(80), 41-46, 2008-06-02

CiNii Fulltext PDF - Subscription
19

Current Status and Future Prospects of High Mobility Channel Technologies for High Performance CMOS

TAKAGI Shinichi

… 本講演では、以上の観点から、ひずみSiやGeチャネル、III-Vチャネルを用いたMOSFETの現状・課題・将来像を紹介する。 …

Technical report of IEICE. SDM 108(80), 1-6, 2008-06-02

CiNii Fulltext PDF - Subscription
20

Investigation of deep levels in GaPN by photoconductivity transient measurement [in Japanese]

IZUMI Keita , OKADA Hiroshi , FURUKAWA Yuzo , WAKAHARA Akihiro

Si集積回路と発光素子を融合させた光電子融合集積回路(optoelectronic intergrated circuit : OEIC)を実現させるには、Siと格子整合する発光素子が必要となる。窒素を2%添加したGaPNはSiと格子整合する。発光材料中に欠陥が存在すると、発光特性を低下させてしまう。本研究では、GaPNにSiおよびSを添加した材料を光伝導度過渡応答特性を用いて測定を行い、深い準位 …

Technical report of IEICE. SDM 108(36), 29-33, 2008-05-08

CiNii Fulltext PDF - Subscription References (5)

Search Results:　 1-20 of 319

Related Authors

Related Journals

Search Results: 1-20 of 319

Related Authors

Related Journals

Search Results:　 1-20 of 319