Search Results:  1-5 of 5

  • 1

    Direct estimation of surface electrical properties from micro- or nano-order areas  [in Japanese]

    須田 聖一 , 川原 浩一 , 木下 久美子

    The Journal of fuel cell technology 10(2), 104-107, 2010-00-00

  • 2

    Development of Failure Analysis Method Using Nano-prober and THIS  [in Japanese]

    YANO Fumiko , YANAGITA Hiroshi , MIZUNO Takayuki , ARAKAWA Fumiko , OGAWA Yoshifumi , TERADA Shohei , ASAYAMA Kyouichiro

    ナノプローバは単体実デバイスの電気特性を評価するために開発された技術である。これにより不良箇所をデバイスの構成要素単位で特定し、その場所の構造的な異常(異物、加工不良、反応生成物等)をTEM観察・分析TEMにより確実に見つけ出すことが可能となった。このナノプローバとTEMの組み合わせによる解析は不良箇所の電気特性と構造的な異常とを一対一で対応付けることが出来、不良の根本原因から最終的な不良症状に至 …

    Technical report of IEICE. ICD 103(647), 13-15, 2004-01-29

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  • 3

    Development of Failure Analysis Method Using Nano-prober and THIS  [in Japanese]

    YANO Fumiko , YANAGITA Hiroshi , MIZUNO Takayuki , ARAKAWA Fumiko , OGAWA Yoshifumi , TERADA Shohei , ASAYAMA Kyouichiro

    ナノプローバは単体実デバイスの電気特性を評価するために開発された技術である。これにより不良箇所をデバイスの構成要素単位で特定し、その場所の構造的な異常(異物、加工不良、反応生成物等)をTEM観察・分析TEMにより確実に見つけ出すことが可能となった。このナノプローバとTEMの組み合わせによる解析は不良箇所の電気特性と構造的な異常とを一対一で対応付けることが出来、不良の根本原因から最終的な不良症状に至 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 103(645), 13-15, 2004-01-29

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  • 4

    A new analytical technique with four nano-probes to inspect electrical characteristics of a device on actual circuits  [in Japanese]

    YANAGITA Hiroshi , MIZUNO Takayuki , YANO Fumiko , UMEMURA Kaoru , MITSUI Yasuhiro

    故障個所を特定するために従来から用いられている手法では,故障個所を十分絞り込むことが出来ない場合がある.故障が推定されるトランジスタやコンタクト抵抗などを直接測定することができれば,詳細な故障個所が分かり,SEMやTEM等の物理解析に持ち込むことができるが,光学顕微鏡下で針当てをする従来型のプローバでサブミクロンのデバイスを測定することは難しい.そこで,報告者らは,ナノプローブ技術を応用した4探針 …

    Technical report of IEICE. ICD 102(622), 19-20, 2003-01-23

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  • 5

    A new analytical technique with four nano-probes to inspect electrical characteristics of a device on actual circuits  [in Japanese]

    YANAGITA Hiroshi , MIZUNO Takayuki , YANO Fumiko , UMEMURA Kaoru , MITSUI Yasuhiro

    故障個所を特定するために従来から用いられている手法では,故障個所を十分絞り込むことが出来ない場合がある.故障が推定されるトランジスタやコンタクト抵抗などを直接測定することができれば,詳細な故障個所が分かり,SEMやTEM等の物理解析に持ち込むことができるが,光学顕微鏡下で針当てをする従来型のプローバでサブミクロンのデバイスを測定することは難しい.そこで,報告者らは,ナノプローブ技術を応用した4探針 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 102(620), 19-20, 2003-01-23

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