Search Results: 1-20 of 278

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    The development of 25Gbps pin-PD for 100Gbps Ethernet  [in Japanese]

    TAKEMURA Ryota , NAKAJI Masaharu , SAKUMA Hitoshi , WATATANI Chikara , NAGIRA Takashi , SUZUKI Daisuke , AOYAGI Toshitaka , ISHIKAWA Takahide

    … 我々は、100Gビットイーサネット用受光素子として、大受光径を有し、広帯域・高感度を兼ね備えた表面入射型pin-PDを開発した。 …

    Technical report of IEICE. LQE 109(245), 197-200, 20091015

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  • 2

    The development of 25Gbps pin-PD for 100Gbps Ethernet  [in Japanese]

    TAKEMURA Ryota , NAKAJI Masaharu , SAKUMA Hitoshi , WATATANI Chikara , NAGIRA Takashi , SUZUKI Daisuke , AOYAGI Toshitaka , ISHIKAWA Takahide

    … 我々は、100Gビットイーサネット用受光素子として、大受光径を有し、広帯域・高感度を兼ね備えた表面入射型pin-PDを開発した。 …

    Technical report of IEICE. OPE 109(244), 197-200, 20091015

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  • 3

    The development of 25Gbps pin-PD for 100Gbps Ethernet  [in Japanese]

    TAKEMURA Ryota , NAKAJI Masaharu , SAKUMA Hitoshi , WATATANI Chikara , NAGIRA Takashi , SUZUKI Daisuke , AOYAGI Toshitaka , ISHIKAWA Takahide

    … 我々は、100Gビットイーサネット用受光素子として、大受光径を有し、広帯域・高感度を兼ね備えた表面入射型pin-PDを開発した。 …

    Technical report of IEICE. OCS 109(243), 197-200, 20091015

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  • 4

    60-GHz band Electrically Steerable Reflectarray Antenna Using PIN Diode  [in Japanese]

    KAMODA Hirokazu , IWASAKI Toru , TSUMOCHI Jun , KUKI Takao

    … 60GHKz帯電子走査リフレクトアレーアンテナの試作・評価を行った.反射素子は,誘電体基板上に形成されたマイクロストリップパッチとPINダイオード1つが装荷されたスタブによって構成した.PINダイオードのON/OFF切替で,反射位相が159°変化できた.すなわち,反射素子は簡単な構造をもつ1ビットディジタル移相器として動作した.これを用いて,0.7λ間隔で配列した40×40素子で構成したリフレクトアレーアン …

    IEICE technical report. Microwaves 109(210), 7-12, 20090918

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  • 5

    Fluoride resonant tunneling diodes fabricated on Si substrate  [in Japanese]

    TSUTSUI Kazuo

    應用物理 78(5), 432-436, 20090510

    References (19)

  • 6

    Crystallization and annealing of heavily doped p-type Si film and electronic properties  [in Japanese]

    Noguchi Takashi , Miyahira Tomoyuki , Suzuki Toshiharu

    … ELA activation is effective to electrodes in CMOS TFTs with pin sensor-diodes and for thin-film solar cell as a new System on Panel (SoP). …

    Technical report of IEICE. OME 109(20), 25-28, 20090417

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  • 7

    Crystallization and annealing of heavily doped p-type Si film and electronic properties  [in Japanese]

    Noguchi Takashi , Miyahira Tomoyuki , Suzuki Toshiharu

    … ELA activation is effective to electrodes in CMOS TFTs with pin sensor-diodes and for thin-film solar cell as a new System on Panel (SoP). …

    Technical report of IEICE. SDM 109(19), 25-28, 20090417

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  • 8

    Organic gate FETs and IGBTs with SiGe emitter  [in Japanese]

    MIYAGI Taturou , IDA Yusuke , SUZUKI Takahiko , NARITA Yuzuru , HIROSE Fumihiko

    … スイッチング式電力制御回路に用いられている、pinダイオードのp層にSiGeを用いることで順方向電圧を劣化させずに逆方向回復時間を低減することを実証した。 … この結果により、pinダイオードと同じ電荷蓄積機構を持つInsulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)にSiGeを用いることで高速化を図ろうと考えた。 …

    IEICE technical report. Electron devices 109(16), 45-48, 20090416

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  • 9

    B-1-67 60-GHz Electrically Reconfigurable Reflectarray Antenna Using PIN Diode  [in Japanese]

    Kamoda Hirokazu , Iwasaki Toru , Tsumochi Jun , Kuki Takao

    Proceedings of the IEICE General Conference 2009年_通信(1), 67, 20090304

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  • 10

    Photo-darlington for Visible Light ID Using Standard CMOS Process

    Kimura Yohsuke , Matsumoto Yoshinori

    … The response sensitivities of photo-darlington was 9times higher than that of typical PIN photo-diode, and the response frequency was 110kHz. …

    IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 129(12), 473-474, 2009

    CrossRef J-STAGE

  • 11

    Ultra-Small Laser Scanning Module with High Accuracy Alignment

    Yoshihara Shinji , Ohara Junji , Abe Katsunori , Takeuchi Yukihiro , Kawahara Nobuaki

    … This laser scanning module consists of silicon substrate, a laser diode array with multi-emitter, and microprisms. … The microprisms and alignment pins for laser diode array are fabricated on the same silicon substrate using MEMS technology. … Then the laser diode array is attached to the silicon substrate by setting with the alignment pins. … The alignment accuracy was ±2.8μm for the interval between the laser diode array and microprisms. …

    IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 129(12), 433-438, 2009

    CrossRef J-STAGE

  • 12

    A Study of Correlation between CiOi Defects and Dynamic Avalanche Phenomenon of PiN Diode Using He ion Irradiation  [in Japanese]

    Niwa Fumikazu , Misumi Tadashi , Yamazaki Shinya , Kanata Tetsuya , Nishiwaki Katsuhiko , Sugiyama Takahide

    … By controlling amounts of CiOi in the Si wafer, we were able to improve the diode characteristics and suppress oscillation of the IGBT module current and voltage waveforms. …

    IEICE technical report. Electron devices 108(262), 1-5, 20081016

    CiNii PDF  References (8)

  • 13

    Fundamental Difference between IGBT Operation and Bipolar Junction Transistor Operation  [in Japanese]

    Takata Ikunori

    … The detail comparison between these devices reveals that the operating mode of IGBT is far from the pnp transistor's one and it rather resembles the operation of pin diode. … Because this characteristic is distinctive feature of pin diode, the author would like to propose that the operating mode of IGBT would be considered as a partial pin diode with serially connected MOSFET after an interval of twelve years. …

    IEICE technical report. Electron devices 108(262), 15-20, 20081016

    CiNii PDF  References (10)

  • 14

    Broadband directional borehole radar design with a selective frequency dipole antenna array  [in Japanese]

    TAKAYAMA Takuya , SATO Motoyuki

    … 本論文ではPINダイオードをダイポール素子上に実装した共振周波数可変型ダイポールアンテナを用い、受信アンテナ間の共振周波数をずらすことにより相互結合の影響を高い周波数へシフトさせる手法を提案する。 …

    IEICE technical report. Antennas and propagation 108(201), 37-41, 20080904

    CiNii PDF  References (4)

  • 15

    High-speed and low-resistance fast recovery diodes using SiGe anode layers  [in Japanese]

    MIYAGI Taturou , IDA Yusuke , SUZUKI Takahiko , NARITA Yuzuru , HIROSE Fumihiko

    … 電力変換回路用還流ダイオードとして使われているSi-pinダイオードのp層とi層のライフタイムを個別に制御し、順バイアス時の蓄積電荷を抑制することで、pinダイオードの順方向電圧降下を劣化させずに効果的に逆方向回復時間を抑制できることをシミュレーションと実験により確認した。 …

    Technical report of IEICE. OPE 108(193), 61-64, 20080821

    CiNii PDF  References (4)

  • 16

    High-speed and low-resistance fast recovery diodes using SiGe anode layers  [in Japanese]

    MIYAGI Taturou , IDA Yusuke , SUZUKI Takahiko , NARITA Yuzuru , HIROSE Fumihiko

    … 電力変換回路用還流ダイオードとして使われているSi-pinダイオードのp層とi層のライフタイムを個別に制御し、順バイアス時の蓄積電荷を抑制することで、pinダイオードの順方向電圧降下を劣化させずに効果的に逆方向回復時間を抑制できることをシミュレーションと実験により確認した。 …

    IEICE technical report. EMD 108(191), 61-64, 20080821

    CiNii PDF  References (4)

  • 17

    High-speed and low-resistance fast recovery diodes using SiGe anode layers  [in Japanese]

    MIYAGI Taturou , IDA Yusuke , SUZUKI Takahiko , NARITA Yuzuru , HIROSE Fumihiko

    … 電力変換回路用還流ダイオードとして使われているSi-pinダイオードのp層とi層のライフタイムを個別に制御し、順バイアス時の蓄積電荷を抑制することで、pinダイオードの順方向電圧降下を劣化させずに効果的に逆方向回復時間を抑制できることをシミュレーションと実験により確認した。 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 108(192), 61-64, 20080821

    CiNii PDF  References (4)

  • 18

    High-speed and low-resistance fast recovery diodes using SiGe anode layers  [in Japanese]

    MIYAGI Taturou , IDA Yusuke , SUZUKI Takahiko , NARITA Yuzuru , HIROSE Fumihiko

    … 電力変換回路用還流ダイオードとして使われているSi-pinダイオードのp層とi層のライフタイムを個別に制御し、順バイアス時の蓄積電荷を抑制することで、pinダイオードの順方向電圧降下を劣化させずに効果的に逆方向回復時間を抑制できることをシミュレーションと実験により確認した。 …

    Technical report of IEICE. LQE 108(194), 61-64, 20080821

    CiNii PDF  References (5)

  • 19

    Forward Voltage Degradation of 4H-SiC pin Diodes and High Voltage 4H-SiC pin Diodes on the (000-1) C-Face with Reduced Forward Degradation  [in Japanese]

    NAKAYAMA Koji , SUGAWARA Yoshitaka , ISHII Ryosuke , TSUCHIDA Hidekazu , MIYANAGI Toshiyuki , KAMATA Isao , NAKAMURA Tomonori

    … The dependence of forward voltage degradation on crystal faces for 4H-SiC pin diodes has been investigated. … High-voltage 4H-SiC pin diodes on the (000-1) C-face with small forward voltage degradation have also been fabricated successfully. … A high breakdown voltage of 4.6kV and ΔVF of 0.04V were achieved for a (000-1) C-face pin diode. …

    IEEJ Transactions on Industry Applications 128(8), 1013-1019, 20080801

    CrossRef J-STAGE References (15)

  • 20

    Simulation and experimental study on the junction termination structure for high-voltage 4H-SiC PiN diodes

    Hiyoshi Toru , Hori Tsutomu , Suda Jun , Kimoto Tsunenobu

    … Designing and fabrication of 10-kV 4H-SiC PiN diodes with an improved junction termination structure have been investigated. … A 4H-SiC PiN diode with a JTE dose of 1.1 times 1013 cm-2 has exhibited a high blocking voltage of 10.2 kV. …

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 55(8), 1841-1846, 2008-08

    CrossRef IR