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エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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楊 士波
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宮川 鈴衣奈
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三宅 秀人
,
平松 和政
,
播磨 弘
AlNはワイドバンドギャップや高温での安定性などから、深紫外領域の発光デバイスをはじめ、次世代の種々半導体デバイスへの応用が期待されている。しかしながら、サファイアなど異種下地基板上のAlN成長では、格子定数差や熱膨張係数差による応力発生の問題がある。本研究では、サファイア基板、6H-SiC基板上に高品質なAlN薄膜を作製し、高分解能X線回折、ラマン散乱分光測定から格子歪みや応力の解析を行った。そ …
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(46), 11-14, 2011-05-12
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