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Two-Dimensional Analysis of Backside-Electrode and Gate-Field-Plate Effects on Buffer-Related Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs
[in Japanese]
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ONODERA Hiraku
,
NAKAJIMA Atsushi
,
HORIO Kazushige
バッファ層中に深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの2次元過渡解析を行い,ゲートフィールドプレートの導入や裏面電極の付加がバッファ層に起因したラグ現象や電流コラプスに与える影響について調べた.その結果,アクセプタ濃度が高い場合,ゲートフィールドプレートの導入がラグ現象や電流コラプスの低減に効果的であることが示された.一方,アクセプタ濃度が比較的低い場合には裏面電極の存在 …
IEICE technical report. Electron devices 110(358), 45-50, 2011-01-06
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