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    Thermal Design for Infrared Sensor Pixel Operated at Atmospheric Pressure  [in Japanese]

    SHIOKAWA Yuya , NAKANO Tatsuya , MAEDA Naoki , KIMATA Masafumi , TAKAHATA Akihiro

    This paper discusses the effect of thermal conduction through the air on the sensitivity of thermal infrared detectors fabricated in a bulk micro-machining process from the device's front side. ANSYS …

    IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 132(3), 53-57, 2012-03-01

    J-STAGE CrossRef References (6)

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    Monolithic Lens Integration with 25-Gb/s 1.3-μm Surface-Emitting DFB Laser for Short-Reach Optical Links  [in Japanese]

    SHINODA Kazunori , ADACHI Koichiro , KITATANI Takeshi , LEE Yong , MATSUOKA Yasunobu , SUGAWARA Toshiki , TSUJI Shinji

    レーザビームの拡がり角が狭く光ファイバとの接続が容易な短距離光リンク用光源の開発を目的として,1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザへのモノリシックレンズ集積技術を検討した.まず設計計算により,レーザビームの狭窄には曲率が0.006〜0.012μm^<-1>の集積レンズを作製する必要があることを示した.次に,この範囲の曲率を持つ集積レンズを,エッチングにより作製できることを示した.さ …

    Technical report of IEICE. LQE 110(259), 153-156, 2010-10-21

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  • 3

    Monolithic Lens Integration with 25-Gb/s 1.3-μm Surface-Emitting DFB Laser for Short-Reach Optical Links  [in Japanese]

    SHINODA Kazunori , ADACHI Koichiro , KITATANI Takeshi , LEE Yong , MATSUOKA Yasunobu , SUGAWARA Toshiki , TSUJI Shinji

    レーザビームの拡がり角が狭く光ファイバとの接続が容易な短距離光リンク用光源の開発を目的として,1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザへのモノリシックレンズ集積技術を検討した.まず設計計算により,レーザビームの狭窄には曲率が0.006〜0.012μm^<-1>の集積レンズを作製する必要があることを示した.次に,この範囲の曲率を持つ集積レンズを,エッチングにより作製できることを示した.さ …

    Technical report of IEICE. OPE 110(258), 153-156, 2010-10-21

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    Monolithic Lens Integration with 25-Gb/s 1.3-μm Surface-Emitting DFB Laser for Short-Reach Optical Links  [in Japanese]

    SHINODA Kazunori , ADACHI Koichiro , KITATANI Takeshi , LEE Yong , MATSUOKA Yasunobu , SUGAWARA Toshiki , TSUJI Shinji

    レーザビームの拡がり角が狭く光ファイバとの接続が容易な短距離光リンク用光源の開発を目的として,1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザへのモノリシックレンズ集積技術を検討した.まず設計計算により,レーザビームの狭窄には曲率が0.006〜0.012μm^<-1>の集積レンズを作製する必要があることを示した.次に,この範囲の曲率を持つ集積レンズを,エッチングにより作製できることを示した.さ …

    Technical report of IEICE. OCS 110(257), 153-156, 2010-10-21

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  • 5

    Demonstration of Wide Temperature Range 25Gbps Operation of 1.3μm Directly Modulated Laser  [in Japanese]

    FUKAMACHI Toshihiko , SHIOTA Takashi , KITATANI Takeshi , BAN Takuma , MATSUOKA Yasunobu , MITA Reiko , ADACHI Kouichiro , SHINODA Kazunori , SUGAWARA Toshiki , TANAKA Shigehisa , Tsuji Shinji , AOKI Masahiro

    1.3μm帯直接変調レーザについて,95℃までの広範囲25Gbps無温調動作の実現性を検討した.今回,共振器長160μmのInGaAlAs系活性層をもつ分布帰還型レーザを作製し,特性評価を行った.その結果,25℃から95℃の温度範囲において消光比が6dB以上の良好なアイ開口を得ることが出来た.これにより無温調25Gbps直接変調レーザを実現できる見通しを得た.

    Technical report of IEICE. LQE 109(403), 61-64, 2010-01-21

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    Demonstration of Wide Temperature Range 25Gbps Operation of 1.3μm Directly Modulated Laser  [in Japanese]

    FUKAMACHI Toshihiko , SHIOTA Takashi , KITATANI Takeshi , BAN Takuma , MATSUOKA Yasunobu , MITA Reiko , ADACHI Kouichiro , SHINODA Kazunori , SUGAWARA Toshiki , TANAKA Shigehisa , Tsuji Shinji , AOKI Masahiro

    1.3μm帯直接変調レーザについて, 95℃までの広範囲25Gbps無温調動作の実現性を検討した.今回,共振器長160μmのInGaAlAs系活性層をもつ分布帰還型レーザを作製し,特性評価を行った.その結果, 25℃から95℃の温度範囲において消光比が6dB以上の良好なアイ開口を得ることが出来た.これにより無温調25Gbps直接変調レーザを実現できる見通しを得た.

    Technical report of IEICE. OPE 109(402), 61-64, 2010-01-21

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    Demonstration of Wide Temperature Range 25Gbps Operation of 1.3μm Directly Modulated Laser  [in Japanese]

    FUKAMACHI Toshihiko , SHIOTA Takashi , KITATANI Takeshi , BAN Takuma , MATSUOKA Yasunobu , MITA Reiko , ADACHI Kouichiro , SHINODA Kazunori , SUGAWARA Toshiki , TANAKA Shigehisa , Tsuji Shinji , AOKI Masahiro

    1.3μm帯直接変調レーザについて,95℃までの広範囲25Gbps無温調動作の実現性を検討した.今回,共振器長160μmのInGaAlAs系活性層をもつ分布帰還型レーザを作製し,特性評価を行った.その結果,25℃から95℃の温度範囲において消光比が6dB以上の良好なイア開口を得ることが出来た.これにより無温調25Gbps直接変調レーザを実現できる見通しを得た.

    IEICE technical report 109(401), 61-64, 2010-01-21

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  • 8

    Novel readout circuit architecture realizing TEC-less operation for SOI diode uncooled IRFPA  [in Japanese]

    OHNAKADO Takahiro , UENO Masashi , OHTA Yasuaki , KOSASAYAMA Yasuhiro , HATA Hisatoshi , SUGINO Takaki , OHNO Takanori , KAMA Keisuke

    Journal of the Japan Society of Infraed Science and Technolog 18(2), 22-28, 2009-12-30

    References (8) Cited by (1)

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    SOI-Diode TEC-less Uncooled Infrared Micro-camera  [in Japanese]

    KIBE Michiya , NAGASHIMA Mitsuhiro , DOSHIDA Minoru , KAMA Keisuke , OHNAKADO Takahiro

    … This paper describes an uncooled infrared (IR) camera especially optimized for small size & weight, less power consumption without degrading noise equivalent temperature difference (NETD). … These features enabled the considerable size/power consumption reduction and the operation without thermoelectric cooler (TEC) which usual IR cameras require for temperature stabilization. …

    IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials 129(11), 746-750, 2009-11-01

    J-STAGE CrossRef References (7)

  • 10

    First Uncooled (25 to 85℃) Operation of 43-Gbps Light Source Based on InGaAlAs EA/DFB Laser Technology  [in Japanese]

    HAYASHI Hiroaki , MAKINO Shigeki , KITATANI Takeshi , SHIOTA Takashi , SHINODA Kazunori , TANAKA Shigehisa , AOKI Masahiro , SASADA Noriko , NAOE Kazuhiko

    高速,低チャープ,小型,低消費電力といった特長を有する電界吸収型光変調器と分布帰還形レーザをモノリシック集積したEA/DFBレーザは,次世代高速通信用光源として有望である.ペルチェ素子による温度調整を必要としない,いわゆるアンクールド動作が実現できれば,さらなる低消費電力化が可能である.我々はこれまでにEA/DFBレーザを作製し,0〜85℃の広い温度範囲において1.55μm帯10Gbps 40km …

    Technical report of IEICE. LQE 109(245), 187-190, 2009-10-15

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    First Uncooled (25 to 85℃) Operation of 43-Gbps Light Source Based on InGaAlAs EA/DFB Laser Technology  [in Japanese]

    HAYASHI Hiroaki , MAKINO Shigeki , KITATANI Takeshi , SHIOTA Takashi , SHINODA Kazunori , TANAKA Shigehisa , AOKI Masahiro , SASADA Noriko , NAOE Kazuhiko

    高速,低チャープ,小型,低消費電力といった特長を有する電界吸収型光変調器と分布帰還形レーザをモノリシック集積したEA/DFBレーザは,次世代高速通信用光源として有望である.ペルチェ素子による温度調整を必要としない,いわゆるアンクールド動作が実現できれば,さらなる低消費電力化が可能である.我々はこれまでにEA/DFBレーザを作製し,0〜85℃の広い温度範囲において1.55μm帯10Gbps 40km …

    Technical report of IEICE. OPE 109(244), 187-190, 2009-10-15

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  • 12

    First Uncooled (25 to 85℃) Operation of 43-Gbps Light Source Based on InGaAlAs EA/DFB Laser Technology  [in Japanese]

    HAYASHI Hiroaki , MAKINO Shigeki , KITATANI Takeshi , SHIOTA Takashi , SHINODA Kazunori , TANAKA Shigehisa , AOKI Masahiro , SASADA Noriko , NAOE Kazuhiko

    高速,低チャープ,小型,低消費電力といった特長を有する電界吸収型光変調器と分布帰還形レーザをモノリシック集積したEA/DFBレーザは,次世代高速通信用光源として有望である.ペルチェ素子による温度調整を必要としない,いわゆるアンクールド動作が実現できれば,さらなる低消費電力化が可能である.我々はこれまでにEA/DFBレーザを作製し,0〜85℃の広い温度範囲において1.55μm帯10Gbps 40km …

    Technical report of IEICE. OCS 109(243), 187-190, 2009-10-15

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  • 13

    C-4-9 Wide Temperature Range operation of 1.55-μm 10-Gbit/s Uncooled EA/DFB-LD TOSA  [in Japanese]

    Hirai M. , Yamamoto H. , Kagaya O. , Nogawa K. , Naoe K. , Sasada N. , Sakai M. , Okayasu M.

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2009年_エレクトロニクス(1), 247, 2009-09-01

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    High-Speed EA-DFB Laser for 40-G and 100-Gbps

    MAKINO Shigeki , SHINODA Kazunori , KITATANI Takeshi , HAYASHI Hiroaki , SHIOTA Takashi , TANAKA Shigehisa , AOKI Masahiro , SASADA Noriko , NAOE Kazuhiko

    … In addition, the feasibility of wide temperature range operation was also investigated. … An uncooled EA/DFB laser can contribute to the realization of low-power-consumption, small-footprint and cost-effective transceiver module. …

    IEICE Transactions on Electronics 92(7), 937-941, 2009-07-01

    J-STAGE CrossRef References (16)

  • 15

    Wide Temperature Range (-25 to 100℃) Operation of a 10-Gb/s, 1.55-μm Electroabsorption Modulator Integrated DFB Laser for 80-km SMF Transmission  [in Japanese]

    KOBAYASHI Wataru , ARAI Masakazu , YAMANAKA Takayuki , FUJIWARA Naoki , FUJISAWA Takeshi , TSUZUKI Ken , TADOKORO Takashi , KANO Fumiyoshi

    低消費電力で低コストな光通信用モジュールの実現の鍵となる、電界吸収型変調器集積DFBレーザのペルチェレス動作の実現を目的として、LD部とEA変調器部の活性層に温度耐性に優れたInGaAlAs系多重量子井戸を適用し、モノリシック集積した。作製した素子を用いて、-25℃〜100℃の全温度領域において、動的消光比9dB以上、80kmシングルモードファイバ伝送後の受信感度劣化2dB以下を実現した。

    Technical report of IEICE. OPE 109(92), 51-54, 2009-06-12

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (12)

  • 16

    Wide Temperature Range (-25 to 100℃) Operation of a 10-Gb/s, 1.55-μm Electroabsorption Modulator Integrated DFB Laser for 80-km SMF Transmission  [in Japanese]

    KOBAYASHI Wataru , ARAI Masakazu , YAMANAKA Takayuki , FUJIWARA Naoki , FUJISAWA Takeshi , TSUZUKI Ken , TADOKORO Takashi , KANO Fumiyoshi

    低消費電力で低コストな光通信用モジュールの実現の鍵となる、電界吸収型変調器集積DFBレーザのペルチェレス動作の実現を目的として、LD部とEA変調器部の活性層に温度耐性に優れたInGaAlAs系多重量子井戸を適用し、モノリシック集積した。作製した素子を用いて、-25℃〜100℃の全温度領域において、動的消光比9dB以上、80kmシングルモードファイバ伝送後の受信感度劣化2dB以下を実現した。

    Technical report of IEICE. LQE 109(93), 51-54, 2009-06-12

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  • 17

    Performance Improvement of Molecular Beam Epitaxy Grown InSb Photodiodes for Room Temperature Operation

    Camargo Edson Gomes , Ueno Koichiro , Morishita Tomohiro , Goto Hiromasa , Kuze Naohiro , Sawada Kazuaki , Ishida Makoto

    In this paper, we report the optimization of the light absorber layer thickness of InSb p+–p-–n+ photodiodes grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs(001) substrates. An Al0.17In0.83S …

    Jpn J Appl Phys 47(11), 8430-8433, 2008-11-25

    The Japan Society of Applied Physics

  • 18

    10Gbps direct modulation experiment using a 1.3 micron-range ridge waveguide laser on an InGaAs substrate  [in Japanese]

    Arai Masakazu , Tadokoro Takashi , Fujisawa Takeshi , Kobayashi Wataru , Kawaguchi Yoshihiro , Yuda Masahiro , Kinoshita Kyoichi , Yoda Shinichi , Kondo Yasuhiro

    GaAsとInPの間で格子定数を選択できるInGaAs基板はレーザ構造の設計自由度が高く、高温まで動作するレーザのための基板として期待されている。我々は結晶性向上と大面積化を目指したTraveling Liquidus-Zone(TLZ)法によるInGaAs基板成長技術開発とこの基板を用い高歪InGaAs量子井戸を活性層とした波長1.3μmレーザの検討を行ってきた。今回は低In組成のInGaAs基 …

    Technical report of IEICE. OPE 108(193), 83-88, 2008-08-21

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  • 19

    10Gbps direct modulation experiment using a 1.3 micron-range ridge waveguide laser on an InGaAs substrate  [in Japanese]

    Arai Masakazu , Tadokoro Takashi , Fujisawa Takeshi , Kobayashi Wataru , Kawaguchi Yoshihiro , Yuda Masahiro , Kinoshita Kyoichi , Yoda Shinichi , Kondo Yasuhiro

    GaAsとInPの間で格子定数を選択できるInGaAs基板はレーザ構造の設計自由度が高く、高温まで動作するレーザのための基板として期待されている。我々は結晶性向上と大面積化を目指したTraveling Liquidus-Zone(TLZ)法によるInGaAs基板成長技術開発とこの基板を用い高歪InGaAs量子井戸を活性層とした波長1.3μmレーザの検討を行ってきた。今回は低In組成のInGaAs基 …

    IEICE technical report. EMD 108(191), 83-88, 2008-08-21

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  • 20

    10Gbps direct modulation experiment using a 1.3 micron-range ridge waveguide laser on an InGaAs substrate  [in Japanese]

    Arai Masakazu , Tadokoro Takashi , Fujisawa Takeshi , Kobayashi Wataru , Kawaguchi Yoshihiro , Yuda Masahiro , Kinoshita Kyoichi , Yoda Shinichi , Kondo Yasuhiro

    GaAsとInPの間で格子定数を選択できるInGaAs基板はレーザ構造の設計白由度が高く、高温まで動作するレーザのための基板として期待されている。我々は結晶性向上と大面積化を日指したTraveling Liquidus-Zone(TLZ)法によるInGaAs基板成長技術開発とこの基板を用い高歪InGaAs量子井戸を活性層とした波長1.3μmレーザの検討を行ってきた。今回は低In組成のInGaAs基 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 108(192), 83-88, 2008-08-21

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