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Design Framework for Parameter Fluctuation in MOSFET Damaged by Ion Bombardment during Plasma Etching
[in Japanese]
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ERIGUCHI Koji
,
NAKAKUBO Yoshinori
,
MATSUDA Asahiko
,
TAKAO Yoshinori
,
ONO Kouichi
… プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが,デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した.イオンの入射エネルギー(E_<ion>),シリコン基板表面に形成されるダメージ層構造,ダメージ層除去に伴うシリコンロス,シリコンロスに伴うデバイス特性変動(ΔV_<th>),の定量的相関を示すプラズマダメージモデルを報告する.さらに,本モデルに基づいたデバイス特性バラツキを予測するためのモ …
Technical report of IEICE. SDM 111(249), 73-78, 2011-10-13
CiNii Fulltext PDF - Limited
References (24)