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双方向ローカルライトドライバ, 1/0平均化リファレンスセル,2T1Rセルレイアウトを用いた32Mb SPRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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竹村 理一郎
,
河原 尊之
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三浦 勝哉
,
山本 浩之
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早川 純
,
松崎 望
,
小埜 和夫
,
山ノ内 路彦
,
伊藤 顕知
,
高橋 宏昌
,
池田 正二
,
長谷川 晴弘
,
松岡 秀行
,
大野 英男
1.8V動作, 32nsアクセス,セル書き込み時間40nsの32Mb SPRAMを試作した。本チップは, 150nm CMOSプロセスとサイズが100×200nm^2のトンネル時期抵抗素子(TMR)を用いている。大容量SPRAM向けの搭載した回路技術として,(1)小面積で大書き込み電流を実現する2トランジスタ1抵抗(2T1R)型メモリセルレイアウト,(2)書き込み時の配線抵抗の影響を低減する双方向 …
電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 110(9), 53-57, 2010-04-15
CiNii PDF - 未公開
参考文献3件