Search Results:　 1-20 of 127

  • 1

    Fabrication of Monolithic Integrated Series-Connected GaAs Photovoltaic Cells for Concentrator Applications

    Watanabe Kentaroh , Yamada Yugo , Senou Minato , Sugiyama Masakazu , Nakano Yoshiaki

    … Aiming at reducting in Joule energy loss of a photovoltaic cell under sunlight concentration, monolithic integration of GaAs cells has been realized, in which five subcells were connected in series and the total surface area of the cells occupied over 80% of the whole chip area. …

    Jpn J Appl Phys 51(10), 10ND18-10ND18-4, 2012-10-25

    The Japan Society of Applied Physics

  • 2

    Fabrication of Fully Epitaxial CoFe/MgO/CoFe Magnetic Tunnel Junctions on Ge(001) Substrates via a MgO Interlayer

    Li Gui-fang , Taira Tomoyuki , Liu Hong-xi , Matsuda Ken-ichi , Uemura Tetsuya , Yamamoto Masafumi

    … Microfabricated CoFe/MgO/CoFe MTJs with a 10-nm-thick MgO interlayer showed a high tunnel magnetoresistance (TMR) ratio of 218% at 293 K, which is encouraging for monolithic integration of MTJs and Ge field-effect transistors for constructing future-generation nonvolatile logic circuits featuring ultralow-power consumption. …

    Jpn J Appl Phys 51(9), 093003-093003-5, 2012-09-25

    The Japan Society of Applied Physics

  • 3

    On-Chip High-Resolution Beam Scanner Based on Bragg Reflector Slow-Light Waveguide Amplifier and Tunable Micro-Electro-Mechanical System Vertical Cavity Surface Emitting Laser

    Nakahama Masanori , Gu Xiaodong , Shimada Toshikazu , Koyama Fumio

    … We propose a monolithic beam scanner consisting of a Bragg reflector slow-light waveguide amplifier and a tunable micro-electro-mechanical vertical cavity surface emitting laser. …

    Jpn J Appl Phys 51(4), 040208-040208-3, 2012-04-25

    The Japan Society of Applied Physics

  • 4

    Integration of Silicon Nano-Photonic Devices for Telecommunications

    ITABASHI Seiichi , NISHI Hidetaka , TSUCHIZAWA Tai , WATANABE Toshifumi , SHINOJIMA Hiroyuki , KOU Rai , YAMADA Koji

    … Monolithic integration of various kinds of optical components on a silicon wafer is the key to making silicon (Si) photonics practical technology. … We propose an integration concept for telecommunications based on Si and related materials and demonstrate monolithic integration of passive and dynamic functional components. …

    IEICE Transactions on Electronics 95(2), 199-205, 2012-02-01

    J-STAGE CrossRef References (15)

  • 5

    High-Gain and High-Bandwidth AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Comparator with High-Temperature Operation

    Kwan Alex Man Ho , Wong King Yuen , Liu Xiaosen , Chen Kevin J.

    … This paper presents the dc and dynamic characterizations of a GaN-based voltage comparator, fabricated with monolithic integration of enhancement-mode (E-mode) and depletion-mode (D-mode) AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). … These results demonstrate the potential of the AlGaN/GaN HEMT technology for mixed-signal integrated circuits used in GaN power electronics that promises high-voltage, high-current, and high-temperature operation. …

    Jpn J Appl Phys 50(4), 04DF02-04DF02-4, 2011-04-25

    The Japan Society of Applied Physics

  • 6

    27pGN-13 Development of monolithic pixel detector (Integration-Type) with SOI technology II  [in Japanese]

    Takeda Ayaki , Arai Yasuo , Miyoshi Toshinobu , Ichimiya Ryo , Ikemoto Yukiko , the SOIPIX group

    Meeting abstracts of the Physical Society of Japan 66(1-1), 29, 2011-03-03

    CiNii Fulltext PDF - Open Access 

  • 7

    Monolithic Lens Integration with 25-Gb/s 1.3-μm Surface-Emitting DFB Laser for Short-Reach Optical Links  [in Japanese]

    SHINODA Kazunori , ADACHI Koichiro , KITATANI Takeshi , LEE Yong , MATSUOKA Yasunobu , SUGAWARA Toshiki , TSUJI Shinji

    レーザビームの拡がり角が狭く光ファイバとの接続が容易な短距離光リンク用光源の開発を目的として,1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザへのモノリシックレンズ集積技術を検討した.まず設計計算により,レーザビームの狭窄には曲率が0.006〜0.012μm^<-1>の集積レンズを作製する必要があることを示した.次に,この範囲の曲率を持つ集積レンズを,エッチングにより作製できることを示した.さ …

    Technical report of IEICE. LQE 110(259), 153-156, 2010-10-21

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (9)

  • 8

    Monolithic Lens Integration with 25-Gb/s 1.3-μm Surface-Emitting DFB Laser for Short-Reach Optical Links  [in Japanese]

    SHINODA Kazunori , ADACHI Koichiro , KITATANI Takeshi , LEE Yong , MATSUOKA Yasunobu , SUGAWARA Toshiki , TSUJI Shinji

    レーザビームの拡がり角が狭く光ファイバとの接続が容易な短距離光リンク用光源の開発を目的として,1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザへのモノリシックレンズ集積技術を検討した.まず設計計算により,レーザビームの狭窄には曲率が0.006〜0.012μm^<-1>の集積レンズを作製する必要があることを示した.次に,この範囲の曲率を持つ集積レンズを,エッチングにより作製できることを示した.さ …

    Technical report of IEICE. OPE 110(258), 153-156, 2010-10-21

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (9)

  • 9

    Monolithic Lens Integration with 25-Gb/s 1.3-μm Surface-Emitting DFB Laser for Short-Reach Optical Links  [in Japanese]

    SHINODA Kazunori , ADACHI Koichiro , KITATANI Takeshi , LEE Yong , MATSUOKA Yasunobu , SUGAWARA Toshiki , TSUJI Shinji

    レーザビームの拡がり角が狭く光ファイバとの接続が容易な短距離光リンク用光源の開発を目的として,1.3μm帯25Gb/s面型DFBレーザへのモノリシックレンズ集積技術を検討した.まず設計計算により,レーザビームの狭窄には曲率が0.006〜0.012μm^<-1>の集積レンズを作製する必要があることを示した.次に,この範囲の曲率を持つ集積レンズを,エッチングにより作製できることを示した.さ …

    Technical report of IEICE. OCS 110(257), 153-156, 2010-10-21

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (9)

  • 10

    Monolithically Integrated InGaN-Based Multicolor Light-Emitting Diodes Fabricated by Wide-Stripe Selective Area Metal--Organic Vapor Phase Epitaxy

    Shioda Tomonari , Sugiyama Masakazu , Shimogaki Yukihiro , Nakano Yoshiaki

    … We have demonstrated monolithic integration of multicolor light-emitting diodes (LEDs) by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy (SA-MOVPE). …

    Applied Physics Express 3(9), 092104-092104-3, 2010-09-25

    The Japan Society of Applied Physics References (15)

  • 11

    Monolithically Integrated Wavelength-Routing Switch with Double-Ring-Resonator Tunable Lasers  [in Japanese]

    SEGAWA Toru , MATSUO Shinji , KAKITSUKA Takaaki , SHIBATA Yasuo , SATO Tomonari , KAWAGUCHI Yoshihiro , KONDO Yasuhiro , TAKAHASHI Ryo

    将来のフォトニックネットワークでは,光パケットを光のまま高速に転送する大容量光スイッチング技術が重要になる.波長変換技術と周回性AWGで構成されるNxN波長ルーティング型光スイッチは,低電力化・小型化が可能なスイッチファブリックとして期待される.我々は半導体2重リング共振器型波長可変レーザとSOA型光ゲート素子,そして半導体AWGをモノリシック集積したNxN波長ルーティング型光スイッチの研究開発を …

    Technical report of IEICE. LQE 110(181), 89-92, 2010-08-19

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (9)

  • 12

    Monolithically Integrated Wavelength-Routing Switch with Double-Ring-Resonator Tunable Lasers  [in Japanese]

    SEGAWA Toru , MATSUO Shinji , KAKITSUKA Takaaki , SHIBATA Yasuo , SATO Tomonari , KAWAGUCHI Yoshihiro , KONDO Yasuhiro , TAKAHASHI Ryo

    将来のフォトニックネットワークでは,光パケットを光のまま高速に転送する大容量光スイッチング技術が重要になる.波長変換技術と周回性AWGで構成されるNxN波長ルーティング型光スイッチは,低電力化・小型化が可能なスイッチファブリックとして期待される.我々は半導体2重リング共振器型波長可変レーザとSOA型光ゲート素子,そして半導体AWGをモノリシック集積したNxN波長ルーティング型光スイッチの研究開発を …

    Technical report of IEICE. OPE 110(180), 89-92, 2010-08-19

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (9)

  • 13

    Monolithically Integrated Wavelength-Routing Switch with Double-Ring-Resonator Tunable Lasers  [in Japanese]

    SEGAWA Toru , MATSUO Shinji , KAKITSUKA Takaaki , SHIBATA Yasuo , SATO Tomonari , KAWAGUCHI Yoshihiro , KONDO Yasuhiro , TAKAHASHI Ryo

    将来のフォトニックネットワークでは,光パケットを光のまま高速に転送する大容量光スイッチング技術が重要になる.波長変換技術と周回性AWGで構成されるNxN波長ルーティング型光スイッチは,低電力化・小型化が可能なスイッチファブリックとして期待される.我々は半導体2重リング共振器型波長可変レーザとSOA型光ゲート素子,そして半導体AWGをモノリシック集積したNxN波長ルーティング型光スイッチの研究開発を …

    IEICE technical report. EMD 110(178), 89-92, 2010-08-19

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (9)

  • 14

    Monolithically Integrated Wavelength-Routing Switch with Double-Ring-Resonator Tunable Lasers  [in Japanese]

    SEGAWA Toru , MATSUO Shinji , KAKITSUKA Takaaki , SHIBATA Yasuo , SATO Tomonari , KAWAGUCHI Yoshihiro , KONDO Yasuhiro , TAKAHASHI Ryo

    将来のフォトニックネットワークでは,光パケットを光のまま高速に転送する大容量光スイッチング技術が重要になる.波長変換技術と周回性AWGで構成されるNxN波長ルーティング型光スイッチは,低電力化・小型化が可能なスイッチファブリックとして期待される.我々は半導体2重リング共振器型波長可変レーザとSOA型光ゲート素子,そして半導体AWGをモノリシック集積したNxN波長ルーティング型光スイッチの研究開発を …

    IEICE technical report. Component parts and materials 110(179), 89-92, 2010-08-19

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (9)

  • 15

    75-km SMF transmission of optical 16 QAM signal generated by a monolithic quad-parallel Mach-Zehnder optical modulator

    CHIBA Akito , SAKAMOTO Takahide , KAWANISHI Tetsuya , HIGUMA Kaoru , SUDOU Masaaki , ICHIKAWA Junichiro

    本稿では、4つのマッハツェンダー構造が並列にニオブ酸リチウム基板上にモノリシック集積された光変調器(QPMZM)により生成した40-Gbit/s 16値の光直交振幅変調(QAM)信号の75kmシングルモードファイバ伝送に関する報告を行う。QPMZMによる16QAM信号生成は、既存の電気系により高速生成が可能な光二値位相変調信号4つのコヒーレント重ね合わせに基づいているため、高ビットレート(> …

    Technical report of IEICE. OPE 110(156), 41-44, 2010-07-22

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (11)

  • 16

    75-km SMF transmission of optical 16 QAM signal generated by a monolithic quad-parallel Mach-Zehnder optical modulator

    CHIBA Akito , SAKAMOTO Takahide , KAWANISHI Tetsuya , HIGUMA Kaoru , SUDOU Masaaki , ICHIKAWA Junichiro

    本稿では、4つのマッハツェンダー構造が並列にニオブ酸リチウム基板上にモノリシック集積された光変調器(QPMZM)により生成した40-Gbit/s 16値の光直交振幅変調(QAM)信号の75kmシングルモードファイバ伝送に関する報告を行う。QPMZMによる16QAM信号生成は、既存の電気系により高速生成が可能な光二値位相変調信号4つのコヒーレント重ね合わせに基づいているため、高ビットレート(> …

    IEICE technical report. Microwaves 110(155), 41-44, 2010-07-22

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (11)

  • 17

    Report on 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010)  [in Japanese]

    SHINODA Kazunori

    本年5月31日〜6月4日に高松において開催されたインジウム燐および関連材料国際会議(IPRM2010)の注目論文や技術動向を報告する.本会議は,インジウム燐とその関連材料の結晶成長,プロセス,および光デバイスや電子デバイスへの応用技術に関する国際会議である.第22回にあたる本年は,「Compound Semiconductor Week 2010」として,第37回化合物半導体国際会議(ISCS20 …

    Technical report of IEICE. LQE 110(103), 1, 2010-06-18

    CiNii Fulltext PDF - Subscription 

  • 18

    Report on 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2010)  [in Japanese]

    SHINODA Kazunori

    本年5月31日〜6月4日に高松において開催されたインジウム燐および関連材料国際会議(IPRM2010)の注目論文や技術動向を報告する.本会議は,インジウム燐とその関連材料の結晶成長,プロセス,および光デバイスや電子デバイスへの応用技術に関する国際会議である.第22回にあたる本年は,「Compound Semiconductor Week 2010」として,第37回化合物半導体国際会議(ISCS20 …

    Technical report of IEICE. OPE 110(102), 1, 2010-06-18

    CiNii Fulltext PDF - Subscription 

  • 19

    10Gb/s-80km Transmission Characteristics of a Compact Tunable Light Source Monolithically Integrated with Mach-Zehnder Modulator via DC Mirror  [in Japanese]

    OKAMOTO Takeshi , MIZUTANI Kenji , TSURUOKA Kiyotaka , SUDO Shinya , SATO Mineto , KUDO Koji , KATO Tomoaki , SATO Kenji

    TOSA(Transmitter Optical Sub-Assembly)等の小型光送信モジュールへの波長可変機能搭載を実現するため、光素子の小型化を検討した。小型化のためには、InP系材料を用いたマッハツェンダー(MZ)型光変調器と、同材料系を用いた波長可変レーザをモノリシック集積する方法が有効と考えられる。今回、方向性結合器(DC)型ミラーによる折り返しを用いたレイアウトを導入することによっ …

    IEICE technical report. Component parts and materials 110(6), 11-15, 2010-04-29

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (7)

  • 20

    10Gb/s-80km Transmission Characteristics of a Compact Tunable Light Source Monolithically Integrated with Mach-Zehnder Modulator via DC Mirror  [in Japanese]

    OKAMOTO Takeshi , MIZUTANI Kenji , TSURUOKA Kiyotaka , SUDO Shinya , SATO Mineto , KUDO Koji , KATO Tomoaki , SATO Kneji

    TOSA(Transmitter Optical Sub-Assembly)等の小型光送信モジュールへの波長可変機能搭載を実現するため、光素子の小型化を検討した。小型化のためには、InP系材料を用いたマッハツェンダー(MZ)型光変調器と、同材料系を用いた波長可変レーザをモノリシック集積する方法が有効と考えられる。今回、方向性結合器(DC)型ミラーによる折り返しを用いたレイアウトを導入することによっ …

    Technical report of IEICE. OPE 110(7), 11-15, 2010-04-09

    CiNii Fulltext PDF - Subscription  References (7)