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Strain Dependence of Hole Currents in Silicon Nanowire FETs
[in Japanese]
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MINARI Hideki
,
KITAYAMA Tatsuro
,
YAMAMOTO Masahiro
,
MORI Nobuya
直径が1.5nmと2.5nmのひずみシリコンナノワイヤトランジスタについて,強結合近似法を導入した非平衡グリーン関数法によるホール輸送シミュレーションを行った.シミュレーション結果から,直径が2.5nmのナノワイヤでは,一軸性の圧縮ひずみによってホール電流が増加し,引っ張りひずみではホール電流が減少することがわかった.一方,直径が1.5nmのナノワイヤでは,ホール電流はひずみの影響をほとんど受けな …
Technical report of IEICE. SDM 110(274), 65-69, 2010-11-04
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References (17)