アンモニアとメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiC:N:H薄膜の特性

• 斎藤 順雄

  高松工専

• 後藤 智弘

  静岡大学電子工学研究所

• 山口 十六夫

  静岡大学電子工学研究所

• 仲秋 勇

  静岡県工業技術センター

• 吉岡 捷爾

  高松工専

• 中村 茂昭

  高松工専

書誌事項

タイトル別名

• Properties of a-SiC:N:H Films Prepared by Magnetron Sputtering using Ammonia and Methane

収録刊行物

• 真空

  真空 38 (9), 802-, 1995-09-20

詳細情報

• CRID: 1570572699085654144
• NII論文ID: 10001693644
• NII書誌ID: AN00119871
• ISSN: 05598516
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles