アーク溶解法によるB-C-Si系複合セラミックスの作製とその熱電性能 Preparation of B-C-Si System Composites by Arc Melting and their Thermoelectric Properties

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抄録

B<SUB>4</SUB>C-SiC quasi-binary and B-C-Si ternary composites were prepared by arc melting in argon atmosphere using B<SUB>4</SUB>C, SiC, Si, B and C powders. Uniform lamella texture indicating eutectic reaction was observed at SiC molar content of 45 to 50mol% in the quasi-binary system. Free C and free Si co-precipitated at the C-rich and Si-rich side of the quasi-binary compositions, respectively. The thermoelectric figure of merit values (Z) of the B<SUB>4</SUB>C-SiC composites were generally greater than those of the C-rich and Si-rich composites. The SiC-B<SUB>4</SUB>C composites near the eutectic composition (40mol%SiC) showed the greatest Seebeck coefficient, electrical conductivity and Z values. The greatest ZT value of the B<SUB>4</SUB>C-SiC composites (40mol%SiC) at T=1100K was about 0.2.

収録刊行物

  • 粉体および粉末冶金  

    粉体および粉末冶金 43(3), 311-315, 1996-03-15 

    Japan Society of Powder and Powder Metallurgy

参考文献:  13件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002011571
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00222724
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    05328799
  • NDL 記事登録ID
    3936696
  • NDL 雑誌分類
    ZP41(科学技術--金属工学・鉱山工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-274
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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