AlN基板のメタライジング Study on Metallizing of AlN Ceramic Substrate

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抄録

AlN ceramic is used as the package material instead of Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> for microelectronics application fields because having high thermal conductivity, thermalstabi1ity, thermal expansion coefficient same as silicon high electrical resistance, low dielectric constant and so on. It is difficult to make a metallizing layer because of AlN is covalent bonded compound. We tried todeposit a copper film with RF sputtering method on to an oxidized top surface with ionic bonded Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> ultra thin layer on AlN ceramic, and measured the adhesion.<BR>The samples which were processed in the oxidation for 5 hour in air at 1173K gave a maximum value, 956 kg/CM<SUP>2</SUP>, in the adhesion. The decrease of the heat resistance by the oxidation process was not observed.

収録刊行物

  • 粉体および粉末冶金

    粉体および粉末冶金 44(2), 190-193, 1997-02-15

    Japan Society of Powder and Powder Metallurgy

参考文献:  3件中 1-3件 を表示

  • <no title>

    ニューケラスシリーズ編集委員会

    ニューケラス4セラミックス基板とその応用 1, 1988

    被引用文献1件

  • <no title>

    浅井博紀

    日本金属会会報まてりあ 35, 317, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    米屋勝利

    日本セラミックス協会講演予稿集 530, 1990

    被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002013517
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00222724
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    05328799
  • NDL 記事登録ID
    4139934
  • NDL 雑誌分類
    ZP41(科学技術--金属工学・鉱山工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-274
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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