レーザーMBE法による酸化物研究の新展開 Progress in Oxide Materials Research by Laser Molecular Beam Epitaxy

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著者

    • 大西 剛 OHNISHI Tsuyoshi
    • 東京工業大学応用セラミックス研究所 Materials & Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology
    • 神田 直樹 KANDA Naoki
    • 東京工業大学応用セラミックス研究所 Materials & Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology

抄録

The advantages of pulsed laser deposition for oxide film growth and of molecular beam epitaxy for 2-dimensional film growth have been combined to develop a method for atomically controlled epitaxy of oxide thin films and heterojunctions. Molecular layer epitaxy has been verified by the clear observation of RHEED intensity oscillations for the growths of various oxides with perovskite, infinite-layer, rock salt, corundum, and fluorite structures. Epitaxial growth of BaO and sapphire films was achieved even at such a low temperature as 20°C. New structures with exotic properties were revealed in SrTiO<SUB>3</SUB>/SrVO<SUB>3</SUB> superlattice, infinite-layer cuprates, and ZnO hexagonal platelets film. In view of the versatility and structure-sensitive properties of oxides, this lattice engineering technology by laser MBE is expected to open a new field of oxide electronics.

収録刊行物

  • レーザー研究  

    レーザー研究 25(4), 278-282, 1997-04-15 

    The Laser Society of Japan

参考文献:  19件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002043443
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00255326
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03870200
  • NDL 記事登録ID
    4204999
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-1040
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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