植物工場用青色LED, LDの現状と将来 Present Status and Future of Blue LEDs and LDs

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

抄録

High-power InGaN single-quantum-well (SQW) structure blue/green light-emitting diodes (LEDs) with an output power of 3-5mW were fabricated. The continuous-wave operation of bluish-purple InGaN multi-quantum-well (MQW)-structure laser diodes (LDs) was achieved at room temperature with a lifetime of 35 hours. The threshold current and the voltage of the LD were 80mA and 5.5V, respectively. By changing the indium composition of the InGaN well layers of the InGaN MQW LDs, the emission wavelength of the LDs was varied between 390nm and 440nm which was suitable for the application of a laser plant factory. Photocurrent spectra of the InGaN SQW LEDs were measured at room temperature. The energy differences between the absorption and the emission energy of the blue/green InGaN SQW LEDs were 290 and 570meV. Both spontaneous and stimulated emission originated from these deep localized energy states.

収録刊行物

  • レーザー研究

    レーザー研究 25(12), 850-854, 1997-12-15

    The Laser Society of Japan

参考文献:  22件中 1-22件 を表示

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    The Blue Laser Diodes, 1997

    被引用文献11件

  • <no title>

    中村修二

    日経エレクトロニクス No. 602, 93, 1994

    被引用文献9件

  • <no title>

    中村修二

    日経サイエンス 24, 44, 1994

    被引用文献2件

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    Appl. Phys. Lett. 64, 1687, 1994

    被引用文献140件

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 34, L1332, 1995

    被引用文献6件

  • <no title>

    奥山浩之

    応用物理 65, 687, 1966

    被引用文献2件

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74-L76, 1996

    被引用文献155件

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74-L76, 1996

    被引用文献155件

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    Appl. Phys. Lett. 68, 2105, 1996

    被引用文献17件

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    Appl. Phys. Lett. 68, 3269, 1996

    被引用文献10件

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    Appl. Phys. Lett. 69, 1477, 1996

    被引用文献10件

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    Appl. Phys. Lett. 69, 1568, 1996

    被引用文献5件

  • <no title>

    ITAYA K.

    Jpn. J. Appl. Phys. 35, L1315-L1317, 1996

    被引用文献53件

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    Appl. Phys. Lett. 69, 3034, 1996

    被引用文献12件

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    Appl. Phys. Lett. 69, 4056, 1996

    被引用文献41件

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    Appl. Phys. Lett. 70, 868, 1997

    被引用文献17件

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 5, 1997

    被引用文献4件

  • <no title>

    CHICHIBU S.

    Appl. Phys. Lett. 69, 4188, 1996

    被引用文献49件

  • <no title>

    NARUKAWA Y.

    Phys. Rev. B55, 1938R, 1997

    被引用文献14件

  • <no title>

    NARUKAWA Y.

    Appl. Phys. Lett. 70, 981, 1997

    被引用文献39件

  • <no title>

    HO I.

    Appl. Phys. Lett. 69, 2701, 1996

    被引用文献16件

  • <no title>

    中村修二

    応用物理 65, 676, 1996

    被引用文献6件

被引用文献:  1件中 1-1件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002045085
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00255326
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03870200
  • NDL 記事登録ID
    4366363
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-1040
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
ページトップへ