多孔質シリコン層中の化学結合に及ぼす室温エージングの影響 Room Temperature Aging Effects on Porous Silicon Layer Chemical Bonds

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抄録

Changes in chemical bonds in porous silicon (PS) during 192 days of aging were studied using transmission Fourier transform infrared spectroscopy in combination with photoluminescence (PL) measurement. PS exhibits PL peaking at about 650nm, but the PL peak position does not change much. PL intensity increases with aging time, and the intensity of infrared absorption bands other than CH<sub>x</sub>(x=1-3) changes. Si-H and SiH<sub>2</sub> bands decrease in intensity with aging time. The O<sub>3</sub>Si-H band intensity increases, then levels off. C=O and O-H bands increase in intensity with aging time, but not in correlation with PL intensity. The Si-O band increases with aging time and is closely correlated with PL intensity. These results suggest that some oxygenrelated effect participates in PS luminescence.

収録刊行物

  • 表面技術 = The Journal of the Surface Finishing Society of Japan

    表面技術 = The Journal of the Surface Finishing Society of Japan 49(1), 63-67, 1998-01-01

    The Surface Finishing Society of Japan

参考文献:  24件中 1-24件 を表示

  • <no title>

    TURNER D. R.

    J. Electrochem. Soc. 105, 404, 1958

    被引用文献1件

  • <no title>

    UNAGAMI T.

    J. Electrochem. Soc. 125, 1339, 1978

    被引用文献3件

  • <no title>

    CANHAM L. T.

    Appl. Phys. Lett. 57, 1046, 1990

    被引用文献116件

  • <no title>

    SAGNES I.

    Appl. Phys. Lett. 62, 1155, 1993

    被引用文献8件

  • <no title>

    QIN G. G.

    Solid State Commun. 86, 559, 1993

    被引用文献3件

  • <no title>

    BRANDT M. S.

    Solid State Commun 81, 307, 1992

    被引用文献18件

  • <no title>

    TSAI C.

    Appl. Phys. Lett. 60, 1700, 1992

    被引用文献2件

  • <no title>

    PROKES S. M.

    J. Appl. Phys. 78, 2671, 1995

    被引用文献2件

  • <no title>

    BORGHESI A.

    Solid State Commun. 87, 1, 1993

    被引用文献1件

  • <no title>

    GUPTA P.

    Phys. Rev. B37, 8234, 1988

    被引用文献8件

  • <no title>

    TSYBESKOV L.

    Appl. Phys. Lett. 64, 1983, 1993

    被引用文献1件

  • <no title>

    伊藤利道

    応用物理 57, 1710, 1988

    被引用文献3件

  • <no title>

    KATO Y.

    Jpn. J. Appl. Phys. 31, L1451, 1992

    被引用文献1件

  • <no title>

    GREAVES R. C.

    Anal. Chem. 57, 2807, 1985

    被引用文献1件

  • <no title>

    執行和浩

    表面技術 47, 157, 1996

    被引用文献2件

  • <no title>

    STATHIS J. H.

    Phys. Rev. B35, 2972, 1987

    被引用文献5件

  • <no title>

    FURUYA K.

    J. Surf. Sci. 3, 233, 1997

    被引用文献1件

  • <no title>

    VEPREK S.

    Phil. Mag. B45, 137, 1982

    被引用文献2件

  • <no title>

    MIZUNO H.

    Appl. Phys. Lett. 69, 3779, 1996

    被引用文献10件

  • <no title>

    越田信義

    応用物理 66, 437, 1997

    被引用文献3件

  • <no title>

    BUTTURI M. A.

    Solid State Commun. 101, 11, 1997

    DOI 被引用文献2件

  • <no title>

    XIE Y. H.

    J.Appl.Phys. 71, 2403, 1992

    DOI 被引用文献8件

  • <no title>

    FUKUDA Y.

    J. Appl. Phys. 82(11), 1997

    被引用文献2件

  • <no title>

    TAKAGAHARA T.

    Phys. Rev. B46, 15578, 1992

    DOI 被引用文献28件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002108486
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1005202X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    09151869
  • NDL 記事登録ID
    4367225
  • NDL 雑誌分類
    ZP41(科学技術--金属工学・鉱山工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-291
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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