表面技術と半導体プロセス　　シリコン基板表面状態とゲート酸化膜の信頼性

• 小澤 良夫

  (株) 東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 福元 正人

  (株) 東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 水津 康正

  (株) 東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

書誌事項

タイトル別名

• Surface Finishing Technology and Semiconductor Fabrication Process. Influence of Silicon Substrate Surface Condition on Gate Oxide Reliability.
• シリコン キバン ヒョウメン ジョウタイ ト ゲート サンカ マク ノ シンラ

収録刊行物

• 表面技術

  表面技術 49 (3), 248-252, 1998

  一般社団法人 表面技術協会

キーワード

• Silicon Oxide
• Preoxide
• Gate Oxide
• Hot Carrier
• Dielectric Breakdown

詳細情報

• CRID: 1390001204114932608
• NII論文ID: 10002108715
• NII書誌ID: AN1005202X
• DOI: 10.4139/sfj.49.248
• ISSN: 18843409
• ISSN: 09151869
• NDL書誌ID: 4413775
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4413775
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles