アモルファスシリコン薄膜トランジスタのオフ電流特性に及ぼすプラズマ処理の効果 Plasma Treatment Effect on the Off Current Characteristics of a-Si Thin Film Transistor

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抄録

The off current of amorphous silicon (a-Si: H) thin film transistors (TFTs) depends on fabrication after back-channel etching. Plasma treatment after back-channel etching affects off current in the lower subthreshold voltage region. Off current is high in O<sub>2</sub> plasma treatment and low in N<sub>2</sub> plasma treatment. Without plasma treatment, off current can not be controlled. N<sub>2</sub> plasma treatment affects the interface characteristics between a-Si: H layer and passivation layer, obstructing electron transport near the back-channel inerface.

収録刊行物

  • 表面技術 = The Journal of the Surface Finishing Society of Japan  

    表面技術 = The Journal of the Surface Finishing Society of Japan 50(3), 273-277, 1999-03-01 

    The Surface Finishing Society of Japan

参考文献:  7件

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キーワード

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002112031
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1005202X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    09151869
  • NDL 記事登録ID
    4677065
  • NDL 雑誌分類
    ZP41(科学技術--金属工学・鉱山工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-291
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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