半導体超微粒子による光利用部分めっき Area Selective Photo-Plating Using Semiconductor Ultrafine Particles

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抄録

TiO<SUB>2</SUB>超微粒子では,量子サイズ効果によってバンドギャップが大きくなるとともに伝導帯は卑な電位にシフトする。そのため,光励起された電子の還元力が強くなり,バルク結晶では析出しなかったNiが光照射によってTiO<SUB>2</SUB>超微粒子上に析出する。また,このような超微粒子では表面エネルギーが非常に高く,比較的低い温度域から焼結反応が進行する。これらTiO<SUB>2</SUB>超微粒子の特徴と無電解めっき技術とを結びつけることにより,基板上の光照射部のみに密着性良くNiを析出させる新しい部分めっき法へと展開した。本めっき法には,(1)従来法では不可欠なPdコロイドとレジストパターンを使用することなく部分めっき可能,(2)水洗等のない簡単なプロセスなどの特徴がある。また,レジストパターンの形成が困難な曲面や段差のある立体的な基板にもパターンめっきが可能である。ここでは,光照射に伴うTiO<SUB>2</SUB>超微粒子上へのNiの析出現象,析出メカニズム,部分めっき法としての解像度,めっきされたNiの基板に対する密着力について解説する。

収録刊行物

  • 表面科学  

    表面科学 16(3), 201-205, 1995-03-10 

    The Surface Science Society of Japan

参考文献:  16件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002115193
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00334149
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03885321
  • データ提供元
    CJP書誌  J-STAGE 
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