X線光電子分光法を用いた半導体のバンドギャップ内の界面準位の新しい観測方法 A New Method for Determination of Energy Distribution of Interface States in Semiconductor Band-Gaps : XPS Measurements under Biases

この論文をさがす

著者

    • 小林 光 KOBAYASHI Hikaru
    • 大阪大学基礎工学部及び有機光工学研究センター Department of Chemistry, Faculty of Engineering Science, and Research Center for Photoenergetics of Organic Materials, Osaka University

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 16(4), 251-257, 1995-04-10

参考文献:  33件中 1-33件 を表示

  • <no title>

    Temple V.

    Solid-State Electron 16, 93, 1973

    被引用文献2件

  • <no title>

    KOBAYASHI H.

    J. Appl. Phys. 69, 1736, 1991

    被引用文献14件

  • <no title>

    Kobayashi H.

    J. Appl. Phys. 74, 4756, 1993

    被引用文献3件

  • <no title>

    Kobayashi H.

    Surf. Sci. 306, 69, 1994

    被引用文献2件

  • <no title>

    ROWE J. E.

    Phys. Rev. Lett. 34, 874, 1975

    被引用文献1件

  • <no title>

    GOLDMANN A.

    Surf. Sci. 169, 438, 1980

    被引用文献1件

  • <no title>

    HIMPSEL F. J.

    Phys. Rev. B24, 2003, 1981

    被引用文献1件

  • <no title>

    BRILLSON L. J.

    Phys. Rev. Lett. 42, 397, 1979

    被引用文献1件

  • <no title>

    WALDROP J. R.

    Appl. Phys. Lett. 42, 454, 1983

    被引用文献1件

  • <no title>

    NEWMAN N.

    J. Vac. Sci. Technol. B4, 931, 1986

    被引用文献3件

  • <no title>

    ALDAO C. M.

    Phys. Rev. B37, 6019, 1988

    被引用文献1件

  • <no title>

    SPICER W. E.

    J. Vac. Sci. Technol. B6, 1245, 1988

    被引用文献6件

  • <no title>

    GUDAT W.

    J. Vac. Sci. Technol. 13, 831, 1976

    被引用文献1件

  • <no title>

    小林光

    表面科学 14, 139, 1993

    被引用文献1件

  • <no title>

    BERGLUND C. N.

    IEEE Electron Devices ED-13, 701, 1966

    被引用文献2件

  • <no title>

    TERMAN L. M.

    Solid-State Electron 5, 285, 1962

    被引用文献23件

  • <no title>

    NICOLLIAN E. H.

    Bell. Syst. Tech. J. 46, 1055, 1967

    被引用文献8件

  • <no title>

    UREN M. J.

    Appl. Phys. Lett. 60, 624, 1992

    被引用文献4件

  • <no title>

    Kobayashi H.

    Solid State Commun. 92, 249, 1994

    被引用文献3件

  • <no title>

    SZE S. M.

    Physics of Semiconductor Devices, 1981

    被引用文献178件

  • <no title>

    KAR S.

    Solid-State Electron 15, 221, 1972

    被引用文献4件

  • <no title>

    PENN D. R.

    J. Electron Scpectrosc 9, 29, 1976

    被引用文献1件

  • <no title>

    HECHT M. H.

    J. Vac. Sci. Technol. B8, 1018, 1990

    被引用文献1件

  • <no title>

    ALONSO M.

    J. Vac. Sci. Technol. B8, 985, 1990

    被引用文献1件

  • <no title>

    KOBAYASHI H.

    Jpn. J. Appl. Phys. 33, L533, 1994

    被引用文献6件

  • <no title>

    Laughlin R. B.

    Phys. Rev. B21, 5733, 1980

    被引用文献2件

  • <no title>

    EDWARDS A. H.

    Phys. Rev. B36, 9638, 1987

    被引用文献1件

  • <no title>

    DOW J. D.

    J. Vac. Sci. Technol. 20, 659, 1982

    被引用文献2件

  • <no title>

    FEIGL F. J.

    J.Appl.Phys. 52, 5665, 1981

    DOI 被引用文献3件

  • <no title>

    KERAMATI B.

    J.Appl.Phys. 53, 1091, 1982

    DOI 被引用文献3件

  • <no title>

    SPICER W. E.

    J. Vac. Sci. Technol. 16, 1422, 1979

    DOI 被引用文献14件

  • <no title>

    DEPAS M.

    Solid State Electron. 37, 433, 1994

    DOI 被引用文献3件

  • Theory of continuously distributed trap states at Si-SiO_2 interfaces

    SAKURAI T.

    J. Appl. Phys. 52(4), 2889-2896, 1981

    DOI 被引用文献13件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002115376
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00334149
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03885321
  • データ提供元
    CJP書誌 
ページトップへ