水素終端Si表面におけるNiシリサイド形成の制御

• 上田 一之

  豊田工業大学極限材料専攻

• 野村 宏治

  大阪大学工学部応用物理学専攻

書誌事項

タイトル別名

• Control of Ni-Silicide Formation on Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces

収録刊行物

• 表面科学

  表面科学 17 (3), 120-126, 1996-03-10

詳細情報

• CRID: 1572824498927663616
• NII論文ID: 10002116852
• NII書誌ID: AN00334149
• ISSN: 03885321
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles