水素終端シリコン表面の初期酸化過程と局所構造 Initial Oxidation Processes and Local Bonding Structures on H-Terminated Si(100) Surfaces

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

抄録

 シリコンデバイスの微細化とともに, ゲート酸化膜は一層薄膜化され, SiO2膜の局所的な構造やSi/SiO2界面の平坦性が重要な問題となっている。これらの問題を解決するためには, 酸化膜形成時の表面反応の理解と原子スケールでの制御が必要となる。特に, シリコン表面の水素終端は, 自然酸化の抑制効果をもつのみならず, 表面反応の制御という点でも重要である。本報告では, 水素終端Si(100)表面での酸素分子の解離吸着および酸素原子の吸着状態を述べ, 酸化膜形成過程に与える水素の影響について明らかにする。

収録刊行物

  • 表面科学  

    表面科学 17(3), 141-147, 1996-03-10 

    The Surface Science Society of Japan

参考文献:  25件

参考文献を見るにはログインが必要です。ユーザIDをお持ちでない方は新規登録してください。

被引用文献:  1件

被引用文献を見るにはログインが必要です。ユーザIDをお持ちでない方は新規登録してください。

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002116932
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00334149
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03885321
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  J-STAGE 
ページトップへ