水素終端シリコン表面の初期酸化過程と局所構造 Initial Oxidation Processes and Local Bonding Structures on H-Terminated Si(100) Surfaces

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抄録

 シリコンデバイスの微細化とともに, ゲート酸化膜は一層薄膜化され, SiO2膜の局所的な構造やSi/SiO2界面の平坦性が重要な問題となっている。これらの問題を解決するためには, 酸化膜形成時の表面反応の理解と原子スケールでの制御が必要となる。特に, シリコン表面の水素終端は, 自然酸化の抑制効果をもつのみならず, 表面反応の制御という点でも重要である。本報告では, 水素終端Si(100)表面での酸素分子の解離吸着および酸素原子の吸着状態を述べ, 酸化膜形成過程に与える水素の影響について明らかにする。

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 17(3), 141-147, 1996-03-10

    The Surface Science Society of Japan

参考文献:  25件中 1-25件 を表示

  • <no title>

    HIGASHI G. S.

    Appl. Phys. Lett. 56, 656, 1990

    被引用文献74件

  • <no title>

    NAITOH M.

    Ext. Abst. of 1st Conf. Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, 1993

    被引用文献1件

  • <no title>

    TANAKA Y.

    Ext. Abst. of 1st Conf. Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces, 1993

    被引用文献1件

  • <no title>

    西嶋光昭

    真空 27, 695, 1984

    被引用文献2件

  • <no title>

    吉信淳

    応用物理 60, 1196, 1991

    被引用文献6件

  • <no title>

    OSHIMA C.

    Phys. Rev. B30, 5361, 1984

    被引用文献1件

  • <no title>

    OSHIMA C.

    Rev. Sci. Instrum. 56, 227, 1985

    被引用文献3件

  • <no title>

    LUCOVSKY G.

    Phys. Rev. B19, 2064, 1979

    被引用文献11件

  • <no title>

    SCHAEFER J. A.

    Surf. Sci. 155, 535, 1985

    被引用文献10件

  • <no title>

    WISE M. L.

    Surf. Sci. 258, 166, 1991

    被引用文献2件

  • <no title>

    STUCKI F.

    Solid State Commun. 47, 795, 1983

    被引用文献4件

  • <no title>

    YABUMOTO N.

    Jpn. J. Appl. Phys. 30, L419, 1991

    被引用文献9件

  • <no title>

    IKEDA H.

    Ext. Abst. of Fifth Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces, Princeton 127, 1995

    被引用文献1件

  • <no title>

    IKEDA H.

    Ext. Abst. of 1995 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, Osaka 626, 1995

    被引用文献1件

  • <no title>

    IBACH H.

    Electron Energy Loss Spectroscopy and Surface Vibrations, 1982

    被引用文献25件

  • <no title>

    BU H.

    Surf. Sci. 301, 285, 1994

    被引用文献3件

  • <no title>

    SCHAEFER J. A.

    Surf. Sci. Lett. 139, L209, 1984

    被引用文献2件

  • <no title>

    NIWANO M.

    Surf. Sci. Lett. 301, L245, 1994

    被引用文献2件

  • <no title>

    SEN P. N.

    Phys. Rev. B15, 4030, 1977

    被引用文献7件

  • <no title>

    GALEENER F. L.

    Phys. Rev. B19, 4292, 1979

    被引用文献9件

  • <no title>

    MOZZI R. L.

    J. Appl. Crystallogr. 2, 164, 1969

    被引用文献8件

  • <no title>

    TAKAHAGI T.

    J.Appl.Phys. 64, 3516, 1988

    DOI 被引用文献78件

  • <no title>

    IKEDA H.

    J.Appl.Phys. 77, 5125, 1995

    DOI 被引用文献19件

  • <no title>

    SINNIAH K.

    J. Chem. Phys. 92, 5700, 1990

    DOI 被引用文献9件

  • Atomic Scale Flatness of Chemically Cleaned Silicon Surfaces Studied by Infrared Attenuated-Total-Reflection Spectroscopy

    Sawara Kenichi , Yasaka Tatsuhiro , Miyazaki Seiichi , Hirose Masataka

    Jpn J Appl Phys 31(7B), L931-L933, 1992-07-20

    応用物理学会 被引用文献5件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002116932
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00334149
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03885321
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  J-STAGE 
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