高輝度放射光SPring-8における半導体材料プロセス研究への期待 Semiconductor Material Processes in Synchrotron Radiation SPring-8

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著者

    • 奥山 雅則 OKUYAMA Masanori
    • 大阪大学基礎工学研究科物理系専攻機能材料デバイス講座 Area of Materials and Device Physics, Department of Physical Science Graduate School of Engineering Science, Osaka University

抄録

Material processes related to semiconductor device manufacturing in research project in synchrotron radiationfacility, SPring-8, have been discussed. SPring-8 has 61 beamlines including 23 bending magnet beamlinesand 38 insertion device beamlines. Soft X-ray beamline in SPring-8 will be available for the materialprocessing near future and has 8-figure undulator which radiates strong polarized soft X-ray in energy range of 0.5-5 keV. Possibilities of the SR research are discussed showing the reported results. Research plans such as SR-CVD, SR-etching, surface modification, SR-ablation and their analyses have been proposed as effectivesubjects.

収録刊行物

  • レーザー研究

    レーザー研究 26(6), 444-448, 1998-06

    The Laser Society of Japan

参考文献:  5件中 1-5件 を表示

  • <no title>

    上田潔

    放射光 1(2), 1, 1988

    被引用文献2件

  • <no title>

    OKUYAMA M.

    Solid State Electronics 33, 149, 1990

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    SATOH F.

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    Appl. Phys. Lett. 68, 865, 1996

    被引用文献7件

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    KYURAGI H.

    J.Appl.Phys. 61, 2035, 1987

    DOI 被引用文献8件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002249585
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00255326
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03870200
  • NDL 記事登録ID
    4511847
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-1040
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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