Laser-Induced-Fluorescence Study of SiH2 in a RF SiH4/SiH2Cl2 Plasma (レ-ザ-および放射光の半導体プロセス分野への応用特集号) Laser-Induced-Fluorescence Study of SiH_2 in a RF SiH_4/SiH_2Cl_2 Plasma

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抄録

The behavior of the SiH<SUB>2</SUB> radical in a RF (13.56 MHz) SiH<SUB>4</SUB>/SiH<SUB>2</SUB>Cl<SUB>2</SUB> mixture plasma wasinvestigated usinglaser-induced fluorescence spectroscopy with pulsed as well as CW laser excitation. Itwas shown that SiH<SUB>2</SUB> inthe mixture plasma is mainly produced via dissociation of SiH<SUB>4</SUB> and it is less reactivewith SiH<SUB>2</SUB>Cl<SUB>2</SUB> than with SiH<SUB>4</SUB>. The SiH<SUB>2</SUB> density in the mixture plasma increased slightly with increasing SiH<SUB>2</SUB>Cl<SUB>2</SUB> fraction, despite thedecrease in the SiH<SUB>4</SUB> density. This enhanced decomposition of SiH<SUB>4</SUB> as a result of SiH<SUB>2</SUB>Cl<SUB>2</SUB> admixing was foundto be caused by the increase in the electron temperature, which resulted from the increase in the density ofelectron-attaching species produced from SiH<SUB>2</SUB>Cl<SUB>2</SUB> in the plasma.

収録刊行物

  • レーザー研究  

    レーザー研究 26(6), 453-457, 1998-06 

    The Laser Society of Japan

参考文献:  11件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002249615
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00255326
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03870200
  • NDL 記事登録ID
    4511849
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-1040
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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