UV-IR分光エリプソメトリーによるシリコン薄膜堆積初期過程の評価 In situ Ellipsometry Study of Initial Stage of Hydrogenated Silicon Film Growth

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著者

収録刊行物

  • 表面科学  

    表面科学 18(11), 687-694, 1997-11 

    日本表面科学会

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002265468
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00334149
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03885321
  • NDL 記事登録ID
    4332999
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z15-379
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL 
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