高濃度リンドープシリコン表面のAFM観察 Observation of Heavily Phosphorus-Doped Silicon Surfaces by Atomic Force Microscope

この論文をさがす

著者

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 19(10), 624-628, 1998-10

    日本表面科学会

参考文献:  8件中 1-8件 を表示

  • <no title>

    MIYASHITA M.

    J. Electrochem. Soc. 139, 2133, 1992

    被引用文献8件

  • <no title>

    鈴木峰春

    表面技術 45, 17, 1994

    被引用文献1件

  • <no title>

    HEGDE R. I.

    J. Vac. Sci. Technol. B13, 1434, 1995

    被引用文献1件

  • <no title>

    KAMIURA Y.

    Jpn. J. Appl. Phys. 32, 4863, 1993

    被引用文献3件

  • <no title>

    MIZOKAWA Y.

    Appl. Surf. Sci. 100/101, 551, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    YING W. B.

    Appl. Surf. Sci. 100/101, 556, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    応文標

    真空 40, 258, 1997

    被引用文献1件

  • <no title>

    中尾基

    真空 34, 133, 1991

    被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002266126
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00334149
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03885321
  • NDL 記事登録ID
    4579188
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z15-379
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
ページトップへ