不揮発性メモリ用強誘電体薄膜-特にビスマス層状化合物について- Ferroelectric Thin Films for Nonvolatile Memories-Especially for Bismuth Layer-Structured Compound-

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著者

    • 小岩 一郎 KOIWA Ichiro
    • 沖電気工業株式会社半導体技術研究所 Semiconductor Technology Laboratory, Oki Electric Industry Co., Ltd.

収録刊行物

  • 表面科学  

    表面科学 19(10), 643-651, 1998-10 

    日本表面科学会

参考文献:  27件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002266182
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00334149
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03885321
  • NDL 記事登録ID
    4579191
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z15-379
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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