SUBSTRATE TEMPERATURE DEPENDENCE IN TRANSLATIONAL ENERGY INDUCED ETCHING OF Si (100) BY Cl_2 MOLECULARBEAMS

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著者

    • TERAOKA Y
    • Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation
    • NISHIYAMA I
    • Microelectronics Research Laboratories, NRC Corporation

収録刊行物

  • Atomic collision research in Japan

    Atomic collision research in Japan 21, 114-115, 1995-12-25

参考文献:  5件中 1-5件 を表示

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    TERAOKA Y.

    Appl. Phys. Lett. 63, 3355, 1993

    被引用文献4件

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    TERAOKA Y.

    Jpn. J. Appl. Phys. 33, 2240, 1994

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    GAO Q.

    J.Chem.Phys. 98, 8308, 1993

    DOI 被引用文献6件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002402013
  • NII書誌ID(NCID)
    AA11068271
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    OTR
  • データ提供元
    CJP書誌 
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