プラズマソースイオン注入による3次元立体物へのイオン注入 Plasma Source Ion Implantation into a Three-Dimensional Substrate

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抄録

A plasma source ion implanter (PSII) has been built and used to study nitrogen ion implantation into silicon wafers and titanium substrates. Plasma was generated by rf (13.56MHz) glow discharge. A-20kV pulse bias voltage was applied to the substrate holder for 50μs at a repetition rate of 100Hz and for 10μs at a repetition rate of 500Hz. The substrate bias voltage and current during implantation were monitored using a voltage divider and current transformer. The substrate surface was analyzed using Auger electron spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, and X-ray diffraction. Results showed that the PSII achieved uniform ion implantation into a three-dimensional substrate and that the Ti substrate surface was changed to TiN by nitrogen PSII treatment.

収録刊行物

  • 表面技術 = The Journal of the Surface Finishing Society of Japan  

    表面技術 = The Journal of the Surface Finishing Society of Japan 49(2), 176-179, 1998-02-01 

    The Surface Finishing Society of Japan

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被引用文献:  3件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002446137
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1005202X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    09151869
  • NDL 記事登録ID
    4392717
  • NDL 雑誌分類
    ZP41(科学技術--金属工学・鉱山工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-291
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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