スパッタリングによるZnS : TbF3薄膜の形成条件とEL特性 ZnS : TbFx Thin Film EL Property Dependence Sputtering Conditions

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抄録

We studied the relationship between the properties and brightness of ZnS: TbF<sub>x</sub> phosphor films synthesized under different sputtering conditions.<br>We clarified that the F/Tb ratio in films, ZnS (111) lattice plane distance (d), and the half width of the ZnS (111) peak profile (Δ2θ) markedly influenced emission brightness.<br>These properties were varied with sputtering conditions such as RF power, sputtering gas pressure, substrate and annealing temperatures.<br>We found the optimum conditions for synthesizing a brighter green ZnS: TbF<sub>x</sub> phosphor film to be 125W RF power, 1.33Pa sputtering gas pressure, 200°Csubstrate temperature and 300°Cannealing temperature.

収録刊行物

  • 表面技術 = The Journal of the Surface Finishing Society of Japan

    表面技術 = The Journal of the Surface Finishing Society of Japan 49(2), 180-184, 1998-02-01

    The Surface Finishing Society of Japan

参考文献:  7件中 1-7件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002446148
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1005202X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    09151869
  • NDL 記事登録ID
    4392718
  • NDL 雑誌分類
    ZP41(科学技術--金属工学・鉱山工学)
  • NDL 請求記号
    Z17-291
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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