Computer Simulation of Stress Induced Dislocation Multiplication in Large-Diameter Silicon Wafer in High-Temperature Device Processing

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  • Materials transactions, JIM

    Materials transactions, JIM 38(1), 69-77, 1997-01

    Japan Institute of Metals

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002451573
  • NII書誌ID(NCID)
    AA10699969
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    09161821
  • NDL 記事登録ID
    4209529
  • NDL 雑誌分類
    ZP41(科学技術--金属工学・鉱山工学)
  • NDL 請求記号
    Z53-J286
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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