モンテカルロ・シミュレーションによるSi(100), GaAs(100)上の分子線エピタクシャル成長の比較 Comparative Study of MBE Growth on Si(001) and GaAs(001) by Monte Carlo Simulation

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抄録

The growth on GaAs (100) is studied by Monte Carlo simulation in comparison with the growth on Si (100). The step density variations during the growth and their temperature dependence show good agreement with the reported experimental RHEED intensity oscillations. This result and the corresponding surface morphology show that As plays a dominant role during the growth.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(3), 147-150, 1999-03 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  9件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476176
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    4714078
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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