飛行時間型直衝突イオン散乱分光法によるSi(111)表面上のSn薄膜成長の観察 Observation of Sn Thin Film Growth on Si(111) Surface Using Time of Flight Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy

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抄録

Using time of flight impact collision ion scattering spectroscopy (TOF-ICISS), we have investigated Sn thin film growth on clean Si (111) and Si (111) √3 × √3-Sn surfaces. Sn forms crystalline film with β-Sn structure on both surfaces. However, the difference of interface structure plays a decisive role for the growth orientation of the grown Sn thin film. The growth orientational relationship of the Sn film grown on the clean Si (111) surface is found to be Sn (100) <011>//Si (111) <011> and Sn (100) <010>//Si (111) <112>, but the Sn film grown on Sn (111) √3 × √3-Sn surface is rotated by 30° relative to that on the clean Si (111) surface, Sn (100) <010>//Si (111) <011> and Sn (100) <011>// Si (111) <112>. The reason for the rotation is explained by the reduction of the lattice mismatch between the β-Sn and √3 × √3-Sn lattice.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(3), 208-211, 1999-03 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  5件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476282
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    4714565
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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