Lead Zirconate Titanate (PZT) Thin Film Deposition in Facing Target Sputtering

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抄録

The deposition rate and crystallograghic structure of PZT thin film deposited by facing target sputtering have been studied experimentally in this paper. The deposition rate increases with increase of sputtering power or with decrease of substrate temperature, and it has a minimum value when the thin film is deposited at the total gas pressure from 0.05 to 1.2 Pa. The perovskite phase and pyrochlore phase exist in all as-deposited samples of PZT thin films, and the relative content of various phases is varied with sputtering conditions.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(3), 257-260, 1999-03 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  9件

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被引用文献:  2件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476405
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    4714941
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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