高周波-直流結合形マグネトロンスパッタ法によるSnNx薄膜の作製 Preparation of SnNx Thin Films Using RF-DC Coupled Magnetron Sputtering

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抄録

Tin nitride (SnNx) films were prepared by using an r.f.-d.c. coupled magnetron sputtering system. When an extremely low r.f. power (5 W) and d.c. bias were applied simultaneously to the target, the glow discharge took place at a low d.c. bias of-30 V and the target d.c. current increased smoothly compared with a conventional magnetron sputtering system. It is shown that lowering the target d.c. bias down to-50 V results in an increase of the compositional ratio (N/Sn) up to 0.6 for the SnNx films deposited at the gas flow ratio (N<SUB>2</SUB>/ (Ar+N<SUB>2</SUB>)) of 0.5.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(3), 269-271, 1999-03 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476428
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    4715014
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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