電子サイクロトロン共鳴加熱プラズマを用いたリニアスパッタリング装置の作動特性 Operational Characteristics of Linear Sputtering Source Using Electron Cyclotron Resonance Plasma

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

抄録

A linear sputtering source using electron cyclotron resonance (ECR) plasma was developed for reactive sputter deposition with large area. It is composed of slot antennas on a rectangular waveguide with 268 mm long, permanent magnets around the slots and a target within the discharge chamber. Microwaves of 2.45 GHz are radiated from the slots and generated plasma along the waveguide. A sputtering target is placed within the discharge chamber to achieve high deposition rate. Moreover, this plasma source prevents microwave window contamination by sputtered particles. The spatial uniformity of Ar plasma at 0.146 Pa was ± 7.8% within 180 mm in the long direction. By using Ti target and mixture of Ar and N<SUB>2</SUB> gases, TiN films were successfully deposited with thickness uniformity of ± 11.3% within 160 mm and deposition rate of 16.2 nm/min.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(3), 279-281, 1999-03 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  7件

参考文献を見るにはログインが必要です。ユーザIDをお持ちでない方は新規登録してください。

被引用文献:  1件

被引用文献を見るにはログインが必要です。ユーザIDをお持ちでない方は新規登録してください。

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476448
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    4715119
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
ページトップへ