真空マイクロエレクトロニクス素子の陰極材料としての窒化ニオブ薄膜の作製と評価 Properties of Niobium Nitride Thin Films As a Candidate for Cathode Material of Vacuum Microelectronics Devices

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著者

    • 後藤 康仁 GOTOH Yasuhito
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
    • 浦 利之 URA Toshiyuki
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
    • 辻 博司 TSUJI Hiroshi
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
    • 石川 順三 ISHIKAWA Junzo
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University

抄録

We have prepared niobium nitride thin films by ion beam assisted deposition technique, and investigated the film properties from a viewpoint of cathode material for vacuum microelectronics. Substrate temperature and ion-atom arrival rate ratio were selected as deposition parameters. It was shown nitrogen composition was controlled by ion-atom arrival rate ratio and crystalline of mononitride or subnitride were formed in accordance with the nitrogen composition. Work function decreased with an increase in the nitrogen composition and endurance against the low energy argon ion bombardment improved with an increase in the nitrogen composition. The results would be summarized that the mononitride is the preferred composition.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(3), 305-308, 1999-03 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  8件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476501
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    4715283
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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