イオンビームアシスト蒸着法により作製した窒化ニオブフィールドエミッタの電子放出特性 Electron Emission Characteristics of Niobium Nitride Field Emitters Prepared by Ion Beam Assisted Deposition

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著者

    • 後藤 康仁 GOTOH Yasuhito
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
    • 長尾 昌善 NAGAO Masayoshi
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
    • 浦 利之 [他] URA Toshiyuki
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
    • 辻 博司 TSUJI Hiroshi
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
    • 石川 順三 ISHIKAWA Junzo
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University

抄録

Electron emission characteristics of niobium nitride field emitter arrays were investigated as a function of nitrogen composition of niobium nitride. Field emitter arrays with 1024 tips were fabricated by depositing niobium nitride onto the silicon field emitter array, which was fabricated by photolithography and wet etching technique. The electron emission characteristics such as current-voltage characteristics and current fluctuation were measured in ultra high vacuum. The results showed that the field emitter array with mononitride showed lower effective work function and lower current fluctuation. The present results indicated that stoichiometric niobium nitride is preferred composition for field emission cathodes of vacuum microelectronics.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(3), 309-312, 1999-03 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476510
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    4715304
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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