シリコン結晶中の点欠陥形成に対する不純物原子の応力効果 The Effect of Stress due to Impurity on Point Defect Generation in Silicon Crystal

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抄録

Equilibrium concentration change of point defects in Si crystal due to the stress by doping impurities is estimated. The relationship between equilibrium concentration of point defects and secondary defect generation are discussed. It is considered that the changing point defect concentration only about 0.1% affects the secondary defect generation.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(3), 349-352, 1999-03 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476577
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    4716333
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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