Si基板上のTi_<1-x>Al_xN薄膜の結晶配向性 Crystallinity of Ti_<1-x>Al_xN Thin Films on Si Substrate

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抄録

As a buffer layer for epitaxial growth of ferroelectric oxide materials such as Pb (Zr, Ti) O<SUB>3</SUB>, thin films of Ti<SUB>1-x</SUB>Al<SUB>x</SUB>N have been grown on Si (001) substrates by pulsed-laser deposition. The crystallinity of Ti<SUB>1-x</SUB>Al<SUB>x</SUB>N films on Si decreases with increasing Al content, and can be improved by using TiN seed layer on Si before the growth of Ti<SUB>1-x</SUB>Al<SUB>x</SUB>N.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(3), 372-375, 1999-03 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476619
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    4716416
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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