Ｓｉ基板上のＴｉ１－ｘＡｌｘＮ薄膜の結晶配向性

• 李 効民

  R & D Division, Murata Mfg. Co., Ltd.

• 桜井 敦

  R & D Division, Murata Mfg. Co., Ltd.

• 白露 幸祐

  R & D Division, Murata Mfg. Co., Ltd.

• 田中 克彦

  R & D Division, Murata Mfg. Co., Ltd.

• 坂部 行雄

  R & D Division, Murata Mfg. Co., Ltd.

書誌事項

タイトル別名

• Crystallinity of Ti1-xAlxN Thin Films on Si Substrate.
• Si キバン ジョウ ノ Ti1-xAlxN ハクマク ノ ケッショウハイコウセイ

抄録

As a buffer layer for epitaxial growth of ferroelectric oxide materials such as Pb (Zr, Ti) O₃, thin films of Ti_1-xAl_xN have been grown on Si (001) substrates by pulsed-laser deposition. The crystallinity of Ti_1-xAl_xN films on Si decreases with increasing Al content, and can be improved by using TiN seed layer on Si before the growth of Ti_1-xAl_xN.

収録刊行物

• 真空

  真空 42 (3), 372-375, 1999

  一般社団法人 日本真空学会

キーワード

• Electrical and Electronic Engineering
• Surfaces, Coatings and Films
• Condensed Matter Physics

詳細情報

• CRID: 1390001204065394176
• NII論文ID: 10002476619
• NII書誌ID: AN00119871
• DOI: 10.3131/jvsj.42.372
• ISSN: 18809413
• ISSN: 05598516
• NDL書誌ID: 4716416
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4716416
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可