走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析 Three Dimensional Island Formation Preferentially on Steps in GaAs Molecular Beam Epitaxy Studied by In-situ Scanning Electron Microscopy

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収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(3), 484, 1999-03 

参考文献:  2件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476904
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • データ提供元
    CJP書誌 
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