走査電子顕微鏡その場観察によるGaAs分子線成長三次元化機構の解析 Three Dimensional Island Formation Preferentially on Steps in GaAs Molecular Beam Epitaxy Studied by In-situ Scanning Electron Microscopy

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  • 真空

    真空 42(3), 484, 1999-03

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  • <no title>

    TEMMYO J.

    Electron. Lett. 31, 209, 1995

    被引用文献14件

  • <no title>

    井上直久

    真空 40, 154, 1997

    被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10002476904
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • データ提供元
    CJP書誌 
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